FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA2002NZ - 双MOSFET N型 MLP6
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.123ohm
- 电压 @ Rds测量:1V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:002
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.5W
- 封装类型:MLP-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.4V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:2.9A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.123ohm
- 电压 @ Rds测量:1V
- 电压, Vgs 最高:12V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SMD标号:002
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.5W
- 封装类型:MLP-6
- 晶体管类型:MOSFET
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.4V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V

