FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDP8860 - 场效应管 MOSFET N型 TO-220

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDP8860
库存状态：上海10, 新加坡 0 , 英国698
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 43.50
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 43.50
10 - 99	CNY 39.10
100 - 249	CNY 29.92
250+	CNY 26.18

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.0025ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:254W
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:254W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.59°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电容值, Ciss 典型值:9200pF
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:556A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最??:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 典型值:0.0019ohm
通态电阻, Rds on 最大:0.0025ohm
针脚配置:G(1),D(2)S(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:80A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.0025ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:254W
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:254W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.59°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电容值, Ciss 典型值:9200pF
电流, Id 连续:80A
电流, Idm 脉冲:556A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最??:150°C
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 典型值:0.0019ohm
通态电阻, Rds on 最大:0.0025ohm
针脚配置:G(1),D(2)S(3)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V