FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDPF20N50T - 场效应管 MOSFET N TO-220F
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.23ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:62W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-220F
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:62W
- 封装类型:TO-220F
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:2400pF
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 典型值:0.2ohm
- 通态电阻, Rds on 最大:0.23ohm
- 针脚配置:G(1),D(2),S(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:20A
- 电压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):0.23ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:62W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-220F
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:62W
- 封装类型:TO-220F
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:2400pF
- 电流, Id 连续:20A
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 典型值:0.2ohm
- 通态电阻, Rds on 最大:0.23ohm
- 针脚配置:G(1),D(2),S(3)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V

