FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS2734 - 场效应管 MOSFET N型 SO-8

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS2734
库存状态：上海 0 , 新加坡24, 英国1
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 27.60
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 27.60

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:250V
开态电阻, Rds(on):0.117ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.5W
单脉冲雪崩能量 Eas:12.5mJ
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.117ohm
针脚???置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V

产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:250V
开态电阻, Rds(on):0.117ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:2.5W
单脉冲雪崩能量 Eas:12.5mJ
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电容值, Ciss 典型值:1960pF
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.117ohm
针脚???置:D(5,6,7,8), S(1,2,3), G(4)
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V