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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8949 - 双MOSFET N型 SO-8

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8949 - 双MOSFET N型 SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDS8949
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.20
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 6.20
10  - 99 CNY 5.50
100+  CNY 4.30

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描述信息：
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.029ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:26mJ
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电容值, Ciss 典型值:715pF
  • 电流, Id 连续:6A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.029ohm
  • 针脚配置:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V
产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 开态电阻, Rds(on):0.029ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 功耗:2W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 功率, Pd:2W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:26mJ
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 电容值, Ciss 典型值:715pF
  • 电流, Id 连续:6A
  • 电流, Idm 脉冲:20A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.029ohm
  • 针脚配置:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1)
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.9V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:3V