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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA15N120ANTDTU - 晶体管 IGBT NPT TO-3P 1200V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA15N120ANTDTU - 晶体管 IGBT NPT TO-3P 1200V
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FGA15N120ANTDTU
库存状态:停产
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):
价格:

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描述信息:
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:30A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
  • 最大功耗:186W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-3P
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升时间:20ns
  • 下降时间:100ns
  • 功率, Pd:186W
  • 功耗:186W
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:30A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 热阻, 结至外壳 A:0.67°C/W
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:15A
  • 电流, Icm 脉冲:45A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:With flywheel diode
产品属性:

重量(公斤):0.005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:30A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
  • 最大功耗:186W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-3P
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
  • 上升时间:20ns
  • 下降时间:100ns
  • 功率, Pd:186W
  • 功耗:186W
  • 封装类型:TO-3P
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N Channel
  • 最大连续电流, Ic:30A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 热阻, 结至外壳 A:0.67°C/W
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:15A
  • 电流, Icm 脉冲:45A
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:With flywheel diode