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VISHAY - K817P3 - 光电耦合器

VISHAY - K817P3 - 光电耦合器
制造商:VISHAY
库存编号:
制造商编号:K817P3
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.81
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 3.81
25  - 99 CNY 2.72
100  - 249 CNY 2.04
250+  CNY 1.66

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描述信息:
  • 通道数:1
  • 隔离电压:5000V AC
  • 输出类型:NPN Phototransistor
  • 输入电流:60mA
  • 输出电压:70V
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:4
  • 上升时间:3.0μs
  • 下降时间:4.7μs
  • 光电耦合器类型:Phototransistor
  • 功耗:250mW
  • 外宽:4.75mm
  • 外部深度:7.62mm
  • 外部长度/高度:4.4mm
  • 封装类型:DIP-4
  • 工作温度范围:-40°C to +100°C
  • 引脚节距:2.54mm
  • 批准机构:UL, CSA
  • 排距:9mm
  • 正向电压 Vf 最大:1.6V
  • 电压, Vceo:70V
  • 电压, Vf 典型值:1.25V
  • 输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
  • 输出电压 最大:70V
  • 电流, If @ CTR测量:5mA
  • 电流传递率(CTR) 最小值:100%
  • 电流传递率(CTR), 最大值:200%
  • 输出功耗:150mW
产品属性:

重量(公斤):0.00025
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 通道数:1
  • 隔离电压:5000V AC
  • 输出类型:NPN Phototransistor
  • 输入电流:60mA
  • 输出电压:70V
  • 封装类型:DIP
  • 针脚数:4
  • 上升时间:3.0μs
  • 下降时间:4.7μs
  • 光电耦合器类型:Phototransistor
  • 功耗:250mW
  • 外宽:4.75mm
  • 外部深度:7.62mm
  • 外部长度/高度:4.4mm
  • 封装类型:DIP-4
  • 工作温度范围:-40°C to +100°C
  • 引脚节距:2.54mm
  • 批准机构:UL, CSA
  • 排距:9mm
  • 正向电压 Vf 最大:1.6V
  • 电压, Vceo:70V
  • 电压, Vf 典型值:1.25V
  • 输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
  • 输出电压 最大:70V
  • 电流, If @ CTR测量:5mA
  • 电流传递率(CTR) 最小值:100%
  • 电流传递率(CTR), 最大值:200%
  • 输出功耗:150mW