简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6629TR1PBF - 场效应管 MOSFET N型 DirectFET? MX封装
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF6629TR1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国85
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 26.20
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF6629TR1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国85
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 26.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 26.20 |
| 25 - 99 | CNY 16.40 |
| 100+ | CNY 12.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:23A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):2.7mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:2.8mW
- 封装类型:MX
- 针脚数:5
- 上升时间:67ns
- 下降时间:7.4ns
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1170mJ
- 器件标号:6629
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:MX
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:23
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:25V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:29A
- 电流, Idm 脉冲:230A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:23A
- 电压, Vds 最大:25V
- 开态电阻, Rds(on):2.7mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:1.8V
- 功耗:2.8mW
- 封装类型:MX
- 针脚数:5
- 上升时间:67ns
- 下降时间:7.4ns
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1170mJ
- 器件标号:6629
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:MX
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:23
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:25V
- 电压, Vds 典型值:25V
- 电流, Id 连续:29A
- 电流, Idm 脉冲:230A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
