简体中文INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6641TR1PBF - 场效应管 MOSFET N型 DirectFET? MZ封装
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF6641TR1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国646
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 36.30
价格：
库存编号：
制造商编号：IRF6641TR1PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国646
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 36.30
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 36.30 |
| 25 - 99 | CNY 22.70 |
| 100+ | CNY 17.70 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3.7A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):59.9mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.8mW
- 封装类型:MZ
- 针脚数:5
- 上升时间:11ns
- 下降时间:65ns
- 单脉冲雪崩能量 Eas:46mJ
- 器件标号:6641
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:MZ
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:3.7A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:200V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:4.6A
- 电流, Idm 脉冲:37A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3.7A
- 电压, Vds 最大:200V
- 开态电阻, Rds(on):59.9mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 功耗:2.8mW
- 封装类型:MZ
- 针脚数:5
- 上升时间:11ns
- 下降时间:65ns
- 单脉冲雪崩能量 Eas:46mJ
- 器件标号:6641
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:MZ
- 晶体管类型:MOSFET
- 漏极连续电流, Id @ 70摄氏度:3.7A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:200V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电流, Id 连续:4.6A
- 电流, Idm 脉冲:37A
- 结温, Tj 最低:-40°C
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
