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VISHAY SILICONIX - DG2019DN-T1-E3 - 芯片 双模拟开关 低电压 DPDT

VISHAY SILICONIX - DG2019DN-T1-E3 - 芯片 双模拟开关 低电压 DPDT
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:DG2019DN-T1-E3
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国1020
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 40.48
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 40.48
25  - 99 CNY 32.75
100  - 249 CNY 28.89
250+  CNY 27.35

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描述信息:
  • ??拟开关类型:SPDT
  • 通道数:2
  • 带宽:180MHz
  • 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
  • 时间, t off:19ns
  • 时间, t on:44ns
  • 电源电压范围:1.8V to 5.5V
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:QFN
  • 针脚数:16
  • 封装类型:QFN
  • 器件标号:2019
  • 开关数:4
  • 开态电阻, Rds(on):4ohm
  • 电源电压:单
  • 电源电压 最大:5.5V
  • 电源电压 最小:1.8V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻:4ohm
  • 逻辑功能号:2019
产品属性:

重量(公斤):0.0002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • ??拟开关类型:SPDT
  • 通道数:2
  • 带宽:180MHz
  • 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
  • 时间, t off:19ns
  • 时间, t on:44ns
  • 电源电压范围:1.8V to 5.5V
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:QFN
  • 针脚数:16
  • 封装类型:QFN
  • 器件标号:2019
  • 开关数:4
  • 开态电阻, Rds(on):4ohm
  • 电源电压:单
  • 电源电压 最大:5.5V
  • 电源电压 最小:1.8V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 通态电阻:4ohm
  • 逻辑功能号:2019