简体中文DIODES INC. - ZXMN2B03E6 - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23-6
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZXMN2B03E6
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压, Vgs 最高:8V
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:14.5nC
- 功率, Pd:1.1W
- 封装类型:SOT-23
- 时间, t off:33.9ns
- 时间, t on:4.2ns
- 时间, trr 典型值:10.8ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电容值, Ciss 典型值:1160pF
- 电流, Id 连续:5.4A
- 电流, Idm 脉冲:26A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:G(3), D(1,2,5,6), S(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1V
产品属性：
重量（公斤）：0.00002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.04ohm
- 电压, Vgs 最高:8V
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:14.5nC
- 功率, Pd:1.1W
- 封装类型:SOT-23
- 时间, t off:33.9ns
- 时间, t on:4.2ns
- 时间, trr 典型值:10.8ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电容值, Ciss 典型值:1160pF
- 电流, Id 连续:5.4A
- 电流, Idm 脉冲:26A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:G(3), D(1,2,5,6), S(4)
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1V
