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DIODES INC. - ZXMN2B14FH - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23

DIODES INC. - ZXMN2B14FH - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:ZXMN2B14FH
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国380
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 9.00
价格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 9.00
25  - 99 CNY 6.02
100  - 249 CNY 4.61
250+  CNY 3.99

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:4.3A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 电压 @ Rds测??:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-23
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:11nC
  • 功率, Pd:1W
  • 封装类型:SOT-23
  • 时间, t off:30ns
  • 时间, t on:3.7ns
  • 时间, trr 典型值:9.4ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
  • 电容值, Ciss 典型值:872pF
  • 电流, Id 连续:4.3A
  • 电流, Idm 脉冲:21A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1V
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:4.3A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 电压 @ Rds测??:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-23
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:11nC
  • 功率, Pd:1W
  • 封装类型:SOT-23
  • 时间, t off:30ns
  • 时间, t on:3.7ns
  • 时间, trr 典型值:9.4ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
  • 电容值, Ciss 典型值:872pF
  • 电流, Id 连续:4.3A
  • 电流, Idm 脉冲:21A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1V