DIODES INC. - ZXMN2B14FH - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:ZXMN2B14FH
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国380
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 9.00
价格:
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包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 9.00
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 9.00 |
| 25 - 99 | CNY 6.02 |
| 100 - 249 | CNY 4.61 |
| 250+ | CNY 3.99 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4.3A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 电压 @ Rds测??:4.5V
- 电压, Vgs 最高:8V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:11nC
- 功率, Pd:1W
- 封装类型:SOT-23
- 时间, t off:30ns
- 时间, t on:3.7ns
- 时间, trr 典型值:9.4ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电容值, Ciss 典型值:872pF
- 电流, Id 连续:4.3A
- 电流, Idm 脉冲:21A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1V
产品属性:
重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4.3A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 电压 @ Rds测??:4.5V
- 电压, Vgs 最高:8V
- 功耗:1.5W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOT-23
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:11nC
- 功率, Pd:1W
- 封装类型:SOT-23
- 时间, t off:30ns
- 时间, t on:3.7ns
- 时间, trr 典型值:9.4ns
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
- 电容值, Ciss 典型值:872pF
- 电流, Id 连续:4.3A
- 电流, Idm 脉冲:21A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
- 阈值电压, Vgs th 最高:1V

