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DIODES INC. - ZXMN2B01F - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23

DIODES INC. - ZXMN2B01F - 场效应管 MOSFET N型 SOT-23
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:ZXMN2B01F
库存状态:上海 0 , 新加坡205, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:5
多重订单量:5
单位价格(不含税):CNY 5.16
价格:
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 5.16
25  - 99 CNY 3.65
100  - 249 CNY 2.79
250+  CNY 2.31

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:2.4A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:806mW
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-23
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:4.8nC
  • 功率, Pd:0.625W
  • 封装类型:SOT-23
  • 时间, t off:17.8ns
  • 时间, t on:2.2ns
  • 时间, trr 典型值:6.7ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
  • 电容值, Ciss 典型值:370pF
  • 电流, Id 连续:2.4A
  • 电流, Idm 脉冲:11.8A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器???:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1V
产品属性:

重量(公斤):0.00001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:2.4A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:806mW
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-23
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • N沟道栅极电荷 Qg:4.8nC
  • 功率, Pd:0.625W
  • 封装类型:SOT-23
  • 时间, t off:17.8ns
  • 时间, t on:2.2ns
  • 时间, trr 典型值:6.7ns
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:4.5V
  • 电容值, Ciss 典型值:370pF
  • 电流, Id 连续:2.4A
  • 电流, Idm 脉冲:11.8A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器???:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.4V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1V