简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN200N10P - 场效应管 MOSFET N型 SOT-227B
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFN200N10P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国124
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 187.00
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFN200N10P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国124
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 187.00
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 187.00 |
| 25 - 99 | CNY 150.30 |
| 100+ | CNY 123.90 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开??电阻, Rds(on):0.0075ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:680W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:ISOTOP
- 针脚数:4
- N沟道栅极电荷 Qg:235nC
- 功率, Pd:680W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.22°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:7600pF
- 电流, Id 连续:200A
- 表面安装器件:螺丝安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:150ns
产品属性：
重量（公斤）：0.03
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开??电阻, Rds(on):0.0075ohm
- 电压 @ Rds测量:15V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:680W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:ISOTOP
- 针脚数:4
- N沟道栅极电荷 Qg:235nC
- 功率, Pd:680W
- 封装类型:ISOTOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.22°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电容值, Ciss 典型值:7600pF
- 电流, Id 连续:200A
- 表面安装器件:螺丝安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:150ns
