简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP10N60P - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFP10N60P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国12
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 22.60
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFP10N60P
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国12
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 22.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 5 - 24 | CNY 22.60 |
| 25 - 249 | CNY 18.10 |
| 250 - 499 | CNY 14.00 |
| 500+ | CNY 12.80 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:10A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.74ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:200W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:32nC
- 功率, Pd:200W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.62°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:1610pF
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 时间, trr 最大:200ns
产品属性：
重量（公斤）：0.004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:10A
- 电压, Vds 最大:600V
- 开态电阻, Rds(on):0.74ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:200W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:32nC
- 功率, Pd:200W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.62°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电容值, Ciss 典型值:1610pF
- 电流, Id 连续:10A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 时间, trr 最大:200ns
