简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXFP4N100Q - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFP4N100Q
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国154
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 41.40
价格：
库存编号：
制造商编号：IXFP4N100Q
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国154
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 41.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 41.40 |
| 25 - 99 | CNY 33.30 |
| 100+ | CNY 27.20 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):3ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:39nC
- 功率, Pd:156W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.8°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1050pF
- 电流, Id 连续:4A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:250ns
产品属性：
重量（公斤）：0.004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):3ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 功耗:150W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:39nC
- 功率, Pd:156W
- 封装类型:TO-220
- 晶体管类型:MOSFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.8°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电容值, Ciss 典型值:1050pF
- 电流, Id 连续:4A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:250ns
