IXYS SEMICONDUCTOR - IXFV12N80PS - 场效应管 MOSFET N SMD PLUS220
制造商:IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:IXFV12N80PS
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国86
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 32.12
价格:
库存编号:
制造商编号:IXFV12N80PS
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国86
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 32.12
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 32.12 |
描述信息:
- 晶???管极性:N
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 封装类型:PLUS220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:50nC
- 功率, Pd:360W
- 封装类型:PLUS220
- 晶体管类型:HiPerFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.35°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电容值, Ciss 典型值:3000pF
- 电流, Id 连续:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:250ns
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶???管极性:N
- 电压, Vds 最大:800V
- 开态电阻, Rds(on):0.85ohm
- 封装类型:PLUS220
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:50nC
- 功率, Pd:360W
- 封装类型:PLUS220
- 晶体管类型:HiPerFET
- 热阻, 结至外壳 A:0.35°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:800V
- 电容值, Ciss 典型值:3000pF
- 电流, Id 连续:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 时间, trr 最大:250ns

