IXYS SEMICONDUCTOR - IXFV30N60PS - 场效应管 MOSFET N SMD PLUS220

制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXFV30N60PS
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国36
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 54.02
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 54.02

描述信息：

晶???管极性:N
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.24ohm
封装类型:PLUS220
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:82nC
功率, Pd:500W
封装类型:PLUS220
晶体管类型:HiPerFET
热阻, 结至外壳 A:0.25°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:4000pF
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns

产品属性：

重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

晶???管极性:N
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.24ohm
封装类型:PLUS220
针脚数:3
N沟道栅极电荷 Qg:82nC
功率, Pd:500W
封装类型:PLUS220
晶体管类型:HiPerFET
热阻, 结至外壳 A:0.25°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:4000pF
电流, Id 连续:30A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns