简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ200N06P - 场效应管 MOSFET N TO-3P
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXTQ200N06P
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 67.50
价格：
库存编号：
制造商编号：IXTQ200N06P
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 67.50
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 67.50 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:200nC
- 功率, Pd:714W
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Standard
- 热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
- 电容值, Ciss 典型值:5400pF
- 电流, Id 连续:200A
- 时间, trr 最大:90ns
产品属性：
重量（公斤）：0.005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.006ohm
- 封装类型:TO-3P
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:200nC
- 功率, Pd:714W
- 封装类型:TO-3P
- 晶体管类型:Standard
- 热阻, 结至外壳 A:0.21°C/W
- 电容值, Ciss 典型值:5400pF
- 电流, Id 连续:200A
- 时间, trr 最大:90ns
