简体中文IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY1R6N50P - 场效应管 MOSFET N D-PAK
制造商：IXYS SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：IXTY1R6N50P
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- ??压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):6.5ohm
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:3.9nC
- 功率, Pd:43W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Standard
- 热阻, 结至外壳 A:2.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:140pF
- 电流, Id 连续:1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 时间, trr 最大:400ns
产品属性：
重量（公斤）：0.0003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- ??压, Vds 最大:500V
- 开态电阻, Rds(on):6.5ohm
- 封装类型:D-PAK
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:3.9nC
- 功率, Pd:43W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:Standard
- 热阻, 结至外壳 A:2.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:140pF
- 电流, Id 连续:1A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 时间, trr 最大:400ns
