ON SEMICONDUCTOR - NTD4815NH-1G - 场效应管 MOSFET N型 30V DPAK
制造商:ON SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:NTD4815NH-1G
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.76
价格:
库存编号:
制造商编号:NTD4815NH-1G
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包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.76
价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 3.76 |
| 25 - 99 | CNY 3.34 |
| 100 - 249 | CNY 2.65 |
| 250 - 999 | CNY 2.18 |
| 1000+ | CNY 1.99 |
描述信息:
- ??体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:35A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:32.6W
- 封装类型:I-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:32.6W
- 封装类型:I-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:35A
- 电流, Idm 脉冲:87A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- ??体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:35A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.013ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:2.5V
- 功耗:32.6W
- 封装类型:I-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:32.6W
- 封装类型:I-PAK
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:35A
- 电流, Idm 脉冲:87A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V

