简体中文ON SEMICONDUCTOR - 2N7000RLRMG - 场效应管 MOSFET N型 60V TO-92
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：2N7000RLRMG
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：2N7000RLRMG
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:0.8V
- 功耗:350mW
- 封装类型:TO-92
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.35W
- 封装类型:TO-92
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.2A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性：
重量（公斤）：0.00025
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:200mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):5ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:0.8V
- 功耗:350mW
- 封装类型:TO-92
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:0.35W
- 封装类型:TO-92
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:0.2A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
