ON SEMICONDUCTOR - NTF3055-100T1G - 场效应管 MOSFET N型 60V SOT-223
制造商:ON SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:NTF3055-100T1G
库存状态:美国 0 , 上海 0 , 美国16462, 新加坡30, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 3.84
价格:
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价格:
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 3.84 |
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:2.1W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.1W
- 封装类型:SOT-223 (TO-261)
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性:
重量(公斤):0.00012
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3mA
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:3V
- 功耗:2.1W
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.1W
- 封装类型:SOT-223 (TO-261)
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V

