简体中文ON SEMICONDUCTOR - NTF3055L108T1G - 场效应管 MOSFET N型 60V SOT-223
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NTF3055L108T1G
库存状态：上海 0 , 新加坡187, 英国328
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.40
价格：
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制造商编号：NTF3055L108T1G
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.40
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 5.40 |
| 10 - 99 | CNY 4.40 |
| 100 - 249 | CNY 3.30 |
| 250 - 499 | CNY 2.90 |
| 500+ | CNY 2.70 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态???阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:1.68V
- 功耗:2.1W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.1W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.68V
产品属性：
重量（公斤）：0.00012
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:3A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态???阻, Rds(on):0.12ohm
- 电压 @ Rds测量:5V
- 电压, Vgs 最高:1.68V
- 功耗:2.1W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:2.1W
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.68V
