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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD8523S - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
输出电压:300V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:100μs
下降时间:20μs
封装类型:SMD-4
工作温度最低:30°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-30°C to +100°C
电压, Vceo:300V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:300V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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上海 0
新加坡120
英国1502 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD852300W - 光电耦合器 达林顿输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:100μs
下降时间:20μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:30°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-30°C to +100°C
电压, Vceo:300V
输出电压 最大:300V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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3 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD852300 - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道??:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:100μs
下降时间:20μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:30°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-30°C to +100°C
电压, Vceo:300V
输出电压 最大:300V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD852 - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
输出电压:300V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:100μs
下降时间:20μs
封装类型:DIP-4
工作温度最低:30°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-30°C to +100°C
电压, Vceo:300V
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:1000%
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上海 0
新加坡120
英国571 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815W - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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1 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815SD - 光电耦合器 SMD 达林顿输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815S - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD8153SD - 光电耦合器 SMD 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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上海 0
新加坡 0
英国360 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD8153S - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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上海 0
新加坡 0
英国99 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815300W - 光电耦合器 达林顿输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815300 - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道??:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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上海 0
新加坡5
英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD815 - 光电耦合器 达林顿输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Darlington
输入电流:50mA
输出电压:35V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60μs
下降时间:53μs
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:105°C
工作温度范围:-30°C to +105°C
电压, Vceo:35V
输出电压 最大:35V
电流传递率(CTR) 最小值:600%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617DW - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617DSD - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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上海 0
新加坡 0
英国65 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617DS - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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上海 0
新加坡 0
英国94 |
1 |
5 |
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| 共 90 页 | 第 34 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
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