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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617D3SD - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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上海 0
新加坡 0
英国24 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617D3S - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617D300W - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617D300 - 光电耦合器 晶体管输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617D - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:160%
电流传递率(CTR), 最大值:320%
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617CW - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加坡 0
英国145 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617CSD - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-4
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传??率(CTR), 最大值:200%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617CS - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-4
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617C3SD - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617C3S - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617C300W - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加?? 0
英国1925 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617C300 - 光电耦合器 晶体管输出 |
??道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
|
停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617C - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
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上海 0
新加坡 0
英国12715 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617BW - 光电耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:DIP-B
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:63%
电流传递率(CTR), 最大值:125%
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上海 0
新加坡 0
英国1965 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FOD617BSD - 光电耦合器 SMD 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:Transistor
输入电流:50mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:4μs
下降时间:3μs
封装类型:SMDIP-4
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:110°C
工作温度范围:-55°C to +110°C
电压, Vceo:70V
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:63%
电流传递率(CTR), 最大值:125%
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停产 |
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