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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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VISHAY - TCET1103 - 光电耦合器 高温 VDE标准 |
通道数:1
隔离电压:600V AC
输出类型:Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:4.75mm
外部深度:6.3mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:VDE, CSA, BSI EN 60065:2002, EN 60950:2000, DIN EN 60747-5-2, FIMKO
批准类型:UL Recognised
排距:9mm
最大正向电流, If:130mA
标准:Leadform 9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电源??压:5V
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:34%
电流传递率(CTR), 典型值:70%
输出功耗:265mW
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上海250
新加坡3612
英国461 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCET1102 - 光电耦合器 高温 VDE标准 |
通道数:1
隔离电压:600V AC
输出类型:Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:4.75mm
外部深度:6.3mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:VDE, CSA, BSI EN 60065:2002, EN 60950:2000, DIN EN 60747-5-2, FIMKO
批准类型:UL Recognised
排距:9mm
最大正向电流, If:130mA
标准:Leadform 9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电源??压:5V
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:22%
电流传递率(CTR), 典型值:45%
输出功耗:265mW
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上海250
新加坡4609
英国723 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCET1101 - 光电耦合器 高温 VDE标准 |
通道数:1
隔离电压:600V AC
输出类型:Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:4.75mm
外部深度:6.3mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:VDE, CSA, BSI EN 60065:2002, EN 60950:2000, DIN EN 60747-5-2, FIMKO
批准类型:UL Recognised
排距:9mm
最大正向电流, If:130mA
标准:Leadform 9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电源??压:5V
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
电流, If @ CTR测量:1mA
电流传递率(CTR) 最小值:13%
电流传递率(CTR), 典型值:30%
输出功耗:265mW
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上海 0
新加坡 0
英国2063 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCET1100G - 光电耦合器 高温 VDE标准 |
通道数:1
隔离电压:600V AC
输出类型:Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:4.75mm
外部深度:6.3mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:VDE, CSA, BSI EN 60065:2002, EN 60950:2000, DIN EN 60747-5-2, FIMKO
批准类型:UL Recognised
排距:10.16mm
最大正向电流, If:130mA
标准:Leadform 10.16mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电源电压:5V
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
输出功耗:265mW
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上海 0
新加坡 0
英国1302 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCET1100 - 光电耦合器 高温 VDE标准 |
通道数:1
隔离电压:600V AC
输出类型:Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:4.75mm
外部深度:6.3mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:VDE, CSA, BSI EN 60065:2002, EN 60950:2000, DIN EN 60747-5-2, FIMKO
批准类型:UL Recognised
排距:9mm
最大正向电流, If:130mA
标准:Leadform 9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电源??压:5V
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
输出功耗:265mW
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上海100
新加坡3163
英国1039 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCMT1103 - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:3750V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:SOP
针脚数:4
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:7mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.1mm
封装类型:SOP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:1.27mm
批准机构:UL, CSA, DIN EN 60747-5-2 (VDE0884)
排距:7mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电流, Ic 最大:50A
表面安装器件:表面安装
输入类型:Gallium Arsenide Infrared Emitting LED
电流传递率(CTR) 最小???:50%
电流传递率(CTR), 最大值:150%
输出功耗:150mW
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上海113
新加坡275
英国9103 |
1 |
1 |
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VISHAY - TCLT1005 - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:SOP
针脚数:4
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:7.5mm
外部深度:4.1mm
外部长度/高度:2.3mm
封装类型:SOP-4
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:100°C
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, CSA, BSI, DIN EN 60747-5-2 (VDE0884), FIMKO (SETI)
排距:10.2mm
最大正向电流, If:130mA
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
电流, Ic 最大:50mA
表面安装器件:表面安装
输入类型:Gallium Arsenide Infrared Emitting LED
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:150%
输出功耗:150mW
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上海 0
新加坡 0
英国152 |
1 |
1 |
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VISHAY - SFH6345 - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5300V AC
输出类型:Shielded Transistor
输入电流:25mA
封装类型:DIP
针脚数:8
传输延时, 低至高:0.8μs
传输延时, 高至低:0.8μs
光电耦合器类型:High Speed Without Base Connection
共模抑制(CMR):30kV/μs
功耗:145mW
外宽:9.8mm
外部深度:6.6mm
外部长度/高度:3.55mm
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-55°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, DIN EN 60747-5-2 (VDE0884)
排距:7.62mm
正向电压 Vf 最大:1.9V
波特率, 比特/秒:1Mbps
电压, Vf 典型值:1.6V
输入类型:GaAIAs Infrared LED
电流, If @ CTR测量:16mA
电流传递率(CTR) 最小值:19%
电流传递率(CTR), 最大值:30%
输出功耗:100mW
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上海 0
新加坡340
英国 0 |
1 |
1 |
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VISHAY - MCT6H - 光电耦合器 |
通道数:2
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:8
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7??s
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:9.8mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:3.6mm
封装类型:DIP-8
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL
排距:9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:100%
输出功耗:150mW
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上海 0
新加坡396
英国1051 |
1 |
1 |
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VISHAY - K844P - 光电耦合器 |
通道数:4
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:16
上升时间:3.0μs
下降??间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:20mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:3.6mm
封装类型:DIP-16
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, CSA
排距:9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
输入类型:(AC) 2 x Gallium Arsenide Infrared LED
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:20%
电流传递率(CTR), 最大值:300%
输出功耗:150mW
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上海 0
新加坡7
英国1431 |
1 |
1 |
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VISHAY - K817P9 - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:4.75mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, CSA
排距:9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
输出电压 最大:70V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:200%
电流传递率(CTR), 最大值:400%
输出功耗:150mW
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上海320
新加坡14480
英国6037 |
1 |
1 |
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VISHAY - K817P3 - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:4.75mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, CSA
排距:9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
输出电压 最大:70V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
电流传递率(CTR), 最大值:200%
输出功耗:150mW
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY - K817P - 光电耦合器 |
通道数:1
隔离电压:5000V AC
输出类型:NPN Phototransistor
输入电流:60mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:3.0μs
下降时间:4.7μs
光电耦合器类型:Phototransistor
功耗:250mW
外宽:4.75mm
外部深度:7.62mm
外部长度/高度:4.4mm
封装类型:DIP-4
工作温度范围:-40°C to +100°C
引脚节距:2.54mm
批准机构:UL, CSA
排距:9mm
正向电压 Vf 最大:1.6V
电压, Vceo:70V
电压, Vf 典型值:1.25V
输入类型:Gallium Arsenide Infrared LED
输出电压 最大:70V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:50%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
输出功耗:150mW
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上海210
新加坡3368
英国8859 |
1 |
1 |
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WAGO - 859-794 - 滤波器 |
输出类型:Transistor
输入电流:5mA
输出电压:60V
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:Transistor Output
外宽:9mm
外部深度:56mm
外部长度/高度:91mm
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:60°C
工作温度范围:-25°C to +60°C
批准机构:IEC255
最高频率:1.5kHz
输入电压 最大:30V
输入电压 最小:18V
输出电压 最大:60V
输出电压 最小:20V
额定工作电压:24V
系列:859
线尺寸(AWG):28-14
触点数:5
连接器类型:Terminal Block, DIN Rail
连接器装配方向:DIN Rail
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上海 0
新加坡1
英国92 |
1 |
1 |
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AVAGO TECHNOLOGIES - HCPL-817-30DE - 光耦合器 SMD TRIAC输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:50mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:4
上升时间:4000ns
下降时间:3000ns
光电耦合器类型:标准
封装类型:SMD-4
工作温度范围:-30°C to +100°C
批准机构:IEC/EN/DIN, CSA
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流, If @ CTR测量:5mA
电流传递率(CTR) 最小值:300%
电流传递率(CTR), 最大值:600%
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上海240
新加坡5749
英国5539 |
1 |
1 |
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| 共 90 页 | 第 45 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
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