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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3S-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:7500V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
输出电压:70V
封装类型:SOIC
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SMDIP-6
工作温度范围:-40°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海160 新加坡200 英国110 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3FR2V-M - 光耦合器晶体管输出 |
通???数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-40°C to +100°C
批准机构:VDE
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3.3S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海360 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3.300W - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:3μs
下降时间:14μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:70V
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海320 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-3 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:3μs
下降时间:14μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海550 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-2TV-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:3μs
下降时间:14μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-40°C to +100°C
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:63%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-2FR2V-M - 光耦合器 晶体管输出 |
???道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:63%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-2.3S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流传递率(CTR) 最小值:63%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-2.300W - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:3μs
下降时间:14μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:63%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-1TV-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
输出电压:70V
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:2μs
下降时间:11μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIP-6
工作温度范围:-40°C to +100°C
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:40%
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上海 0 新加坡180 英国21 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-1.S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
电流传递率(CTR) 最小值:40%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-1.3S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5000V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
表面安装器件:表面安装
电流传递率(CTR) 最小值:40%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - CNY17-1 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:2μs
下降时间:11μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL
输出电压 最大:70V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:70V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:40%
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上海995 新加坡 0 英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N40.3S - 光耦合器 SCR输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:SCR
输入电流:60mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:SCR/三端双向可控硅开关输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
触发电流, If 最大:14mA
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N40.300 - 光耦合器SCR输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:SCR
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:SCR/三端双向可控硅开关输出
关态电压:400V
封装类型:DIL
批准机构:UL, VDE
电流, 有效值 最大:60mA
触发电流, If 最大:14mA
通态电流, Idm:150μA
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停产 |
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