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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N40 - 光耦合器 SCR输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:SCR
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:SCR/三端双向可控硅开关输出
关态电压:400V
封装类型:DIL
批准机构:UL
电流, 有效值 最大:60mA
触发电流, If 最大:14mA
通态电流, Idm:150μA
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N39 - 光耦合器 SCR输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
关态电压:200V
封装类型:DIL
批准机构:UL
电流, 有效值 最大:60mA
触发电流, If 最大:14mA
通态电流, Idm:50μA
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N38.S - 光耦合器H/V 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:80V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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上海 0
新加坡10
英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N38.300 - 光耦合器 高电压 晶体管输出 |
???道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:80V
击穿电压 最小:80V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N38 - 光耦合器H/V 晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:80mA
封装类型:DIP
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:80V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
击穿电压 最小:80V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:20%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N37V-M - 光耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE, UL
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N37.S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N37.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:VDE, UL
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35V-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔???电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海 0
新加坡214
英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35FR2V-M - 光耦合器 晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:VDE
表面安装器件:表面安装
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35F-M - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:7500V
输出类型:晶体管
输入电流:60mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35.S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离??压:3550V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海500
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35.3S - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:SOIC
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N35.300 - 光耦合器晶体管输出 |
通道数:1
隔离电压:5300V
输出类型:晶体管
输入电流:100mA
封装类型:DIP
针脚数:6
上升时间:5μs
下降时间:5μs
光电耦合器类型:晶体管输出
封装类型:DIL
批准机构:UL, VDE
输出电压 最大:30V
击穿电压 最小:30V
电流, If @ CTR测量:10mA
电流传递率(CTR) 最小值:100%
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上海320
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 4N33.S - 光耦合器达林顿输出 |
通道数:1
??离电压:5300V
输出类型:达林顿
输入电流:80mA
封装类型:SOIC
针脚数:6
光电耦合器类型:达林顿输出
封装类型:SOIC-6
工作温度范围:-55°C to +100°C
批准机构:UL
输出电压 最大:30V
电流传递率(CTR) 最小值:500%
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上海20
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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