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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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EG & G VACTEC - VTT1115H - 光电三极管 |
光电三极管
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美国 0 上海 0 美国124 新加坡 0 英国 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT9103H - 光电晶体管 |
光电晶体管
NPN
0.100W
TO-106
30V
50mA
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美国 0 上海 0 美国535 新加坡 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT9102H - 光电晶体管 |
光电晶体管
NPN
0.100W
TO-106
30V
50mA
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美国 0 上海 0 美国87 新加坡 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT7122H - 光电晶体管 |
光电晶体管
0.05W
Case 7
30V
25mA
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无库存 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT3323LAH - 光电晶体管 |
光电晶体管
NPN
0.05W
T-1
30V
25mA
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美国 0 上海 0 美国641 新加坡 0 |
1 |
1 |
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SHARP - PT100MF0MP1 - 光电晶体管 SMD |
波长, 典型值:910nm
功耗:75mW
视角:30°
针脚数:2
上升时间:5μs
半角:15°
封装类型:SMD Compact Thin
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-30°C to +85°C
晶体管类型:Phototransistor
标称灵敏度 @ mW/cm2:2mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:910nm
电流, Ic 典型值:2mA
表面安装器件:表面安装
下降时间:6μs
功耗:75mW
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:95°C
暗电流:100nA
波长峰值:910nm
电流, Ic 最大:3.45mA
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光 |
波长, 典型值:800nm
功耗:75mW
视角:26°
针脚数:2
上升时间:3μs
半角:13°
外宽:3.0mm
外部深度:2.8mm
外部长度/高度:4.0mm
封装类型:Radial
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
晶体管类型:Phototransistor
标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
波长, 频谱响应峰值:800nm
电流, Ic 典型值:1.7mA
下降时间:3.5μs
功耗:75mW
反向保护电压:6V
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:85°C
引线直径:0.4mm
引线长度:17.5mm
引脚节距:2.54mm
暗电流:100nA
波长峰值:800nm
电流, Ic 最大:6mA
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0 新加坡 0 英国1916 |
1 |
1 |
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SHARP - PT4800E0000F - 光电三极管 |
波长, 典型值:800nm
功耗:75mW
视角:70°
针脚数:2
上升时间:3μs
半角:35°
外宽:3mm
外部深度:1.5mm
外部长度/高度:3.5mm
封装类型:Radial
工作温度范围:-25°C to +85°C
晶体管类型:Phototransistor
电流, Ic 典型值:400mA
表面安装器件:径向引线
下降时间:3.5μs
功耗:75mW
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:+85°C
引线长度:17.5mm
引脚节距:2.54mm
暗电流:100nA
波长峰值:800nm
电流, Ic 最大:20A
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0 新加坡 0 英国1796 |
1 |
1 |
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SHARP - PT480FE0000F - 光电晶体管 |
波长, 典型值:860nm
功耗:75mW
视角:26°
针脚数:2
上升时间:3μs
半角:13°
外宽:3mm
外部深度:2.8mm
外部长度/高度:4.0mm
封装类型:Radial
工作温度最低:-25°C
工作温度最高:+85°C
工作温度范围:-25°C to +85°C
晶体管类型:Phototransistor
标称灵敏度 @ mW/cm2:0.8mA@1mW/cm2
电流, Ic 典型值:0.8mA
表面安装器件:径向引线
下降时间:3.5μs
功耗:75mW
反向保护电压:6V
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:+85°C
引线直径:0.4mm
引线长度:17.5mm
引脚节距:2.54mm
暗电流:100nA
波长峰值:860nm
电流, Ic 最大:3mA
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0 新加坡30 英国4981 |
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1 |
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SHARP - PT100MC0MP - 光电晶体管 SMD |
波长, 典型值:900nm
功耗:75mW
视角:30°
针脚数:2
上升时间:5μs
半角:15°
封装类型:SMD Compact Thin
工作温度最低:-30°C
工作温度最高:85°C
工作温度范围:-30°C to +85°C
晶体管类型:Phototransistor
标称灵敏度 @ mW/cm2:2.9ma@1mW/cm2
电流, Ic 典型值:2.9mA
表面安装器件:表面安装
下降时间:6μs
功耗:75mW
存储温度, 最低:-40°C
存储温度, 最高:95°C
暗电流:100nA
波长峰值:900nm
电流, Ic 最大:5.1mA
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
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无库存 |
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