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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
LITTELFUSE - V26MLA1210H. - 金属氧化物压敏电阻(MOV) LITTELFUSE - V26MLA1210H. - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    LITTELFUSE - V18MLA1206H - 金属氧化物压敏电阻(MOV) LITTELFUSE - V18MLA1206H - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 金属氧化物压敏电阻(MOV)
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    LITTELFUSE - V18MLA0805LH - 金属氧化物压敏电阻(MOV) LITTELFUSE - V18MLA0805LH - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 1390 1 2500 询价,无需注册 订购
    LITTELFUSE - V18MLA0603H - 金属氧化物压敏电阻(MOV) LITTELFUSE - V18MLA0603H - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 金属氧化物压敏电阻(MOV)
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    LITTELFUSE - V120MLA1210H - 金属氧化物压敏电阻(MOV) LITTELFUSE - V120MLA1210H - 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 金属氧化物压敏电阻(MOV)
  • 美国 0
    上海 0
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    新加坡110
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    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - TIP111.. - 达林顿晶体管 TO-220 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - TIP111.. - 达林顿晶体管 TO-220
  • 达林顿晶体管 TO-220
  • 美国 0
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - RGL41J-E3/96 - 二极管 1A 600V 250nS SUPERECTIFIER? VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - RGL41J-E3/96 - 二极管 1A 600V 250nS SUPERECTIFIER?
  • 二极管 1A 600V 250nS SUPERECTIFIER?
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - P4KE400A-E3/54 - 二极管 TVS VRWM: 342V VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - P4KE400A-E3/54 - 二极管 TVS VRWM: 342V
  • 二极管 TVS VRWM: 342V
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GL41J-E3/96 - 二极管 1A 600V 标准恢复型 SUPERECTIFIER? VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GL41J-E3/96 - 二极管 1A 600V 标准恢复型 SUPERECTIFIER?
  • 二极管 1A 600V 标准恢复型 SUPERECTIFIER?
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GL41A-E3/96 - 整流二极管 标准恢复型 Vrrm:50V IF(AV):1.0A VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GL41A-E3/96 - 整流二极管 标准恢复型 Vrrm:50V IF(AV):1.0A
  • 整流二极管 标准恢复型 Vrrm:50V IF(AV):1.0A
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GF1M-E3/67A - STANDARD DIODE 1A 1KV DO-21 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GF1M-E3/67A - STANDARD DIODE 1A 1KV DO-21
  • STANDARD DIODE 1A 1KV DO-21
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    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - ES2D-E3/52T - 二极管 2A 200V 20nS SMD VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - ES2D-E3/52T - 二极管 2A 200V 20nS SMD
  • 二极管 2A 200V 20nS SMD
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    VISHAY SEMICONDUCTOR - GSD2004S-V-GS08 - 小信号二极管 225mA 300V VISHAY SEMICONDUCTOR - GSD2004S-V-GS08 - 小信号二极管 225mA 300V
  • 小信号二极管 225mA 300V
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    VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5254B-TR - 齐纳二极管 27V 500mW VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N5254B-TR - 齐纳二极管 27V 500mW
  • 齐纳二极管 27V 500mW
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    VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N4747A-TR - 齐纳二极管 Vz: 20V VISHAY SEMICONDUCTOR - 1N4747A-TR - 齐纳二极管 Vz: 20V
  • 齐纳二极管 Vz: 20V
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