| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - HFA15TB60PBF - 整流二极管 快速恢复型 |
电压, Vrrm:600V
电流, If 平均:15A
正向电压 Vf 最大:2V
封装形式:TO-220AC
封装类型:TO-220AC
时间, trr 典型值:60ns
电流, Ifsm:150A
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
 |
ON SEMICONDUCTOR - MUR240G - 整流二极管 超快恢复型 |
电压, Vrrm:400V
电流, If 平均:2A
正向电压 Vf 最大:1.3V
封装形式:DO-41AD
SVHC(高度关注物???):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DO-41AD
时间, trr 典型值:65ns
电流, Ifsm:35A
|
上海 0
新加坡 350
英国487 |
1 |
1 |
|
 |
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - GBPC606-E4 - 桥式整流器 |
电压, Vrrm:600V
电流, If 平均:6mA
正向电压 Vf 最大:1V
针脚数:4
封装类型:GBPC
相数:Single
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国51 |
1 |
1 |
|
 |
ON SEMICONDUCTOR - DF3A6.8FUT1G - 齐纳二极管 6.8V 双管 共阳极 SC70 |
电压, Vz:6.8V
最大功耗:200mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
??装形式:SC-70
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC70
总功率, Ptot:0.2W
测试电流:5mA
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
新加坡499
英国3726 |
1 |
1 |
|
 |
ON SEMICONDUCTOR - MJW21196G - 晶体管 双极性 NPN 16A TO247 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:Power General Purpose
最大连续电流, Ic:16A
最小增益带宽 ft:4MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:400V
电流, Ic hFE:0.08A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3V DC
|
上海 0
新加坡15
英国206 |
1 |
1 |
|
 |
ON SEMICONDUCTOR - MJW21195G - 晶体管 双极性 NPN 16A TO247 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:250V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:200W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:20
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:Power General Purpose
最大连续电流, Ic:16A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:400V
电流, Ic hFE:0.08A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3V DC
|
上海 0
新加坡9
英国405 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BAV21. - 二极管 250V 0.2A DO-35 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:200mA
电压, Vrrm:250V
正向电压 Vf 最大:1.25V
时间, trr 最大:50ns
电流, Ifs 最大:4A
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
时间, trr 典型值:50ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国16916
新加坡1975
英国4037 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N968B - 齐纳二极管 20V 0.5W DO35 |
电压, Vz:20V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:6.2mA
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国 0
新加坡 0
英国1017 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX79C3V3 - 齐纳二极管 0.5W 3.3V DO-35 |
电压, Vz:3.5V
最大功耗:500mW
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
新加坡 0
英国1286 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX55C4V3 - 齐纳二极管 0.5W 4.3V DO-35 |
电压, Vz:4.6V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
???装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国17130
新加坡2400
英国581 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N972B - 齐纳二极管 30V 0.5W DO35 |
电压, Vz:30V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:4.2mA
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国 0
新加坡5
英国1707 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N916B - 二极管 小信号 100V 0.2A DO-35 |
二极管类型:Small Signal
电流, If 平均:200mA
电压, Vrrm:100V
正向??压 Vf 最大:1V
时间, trr 最大:4ns
电流, Ifs 最大:4A
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
时间, trr 典型值:4ns
电流, Ifsm:4A
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国3902
新加坡 0
英国575 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1N759A - 齐纳二极管 0.5W 12V DO35 |
电压, Vz:12V
最大功耗:500mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
封装类型:DO-35
测试电流:20mA
表面安装器件:轴向引线
|
上海 0
美国5545
新加坡 0
英国1266 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SMBJ9.0CA - 二极管 TVS 双向 9.0V 600W 轴向引线 |
电压, Vrwm:9V
钳位电压 最大:15.4V
二极管??置:Bidirectional
封装形式:DO-214AA
针脚数:2
二极管类型:TVS, Bidirectional
封装类型:DO-214AA
工作温度范围:-55°C to +150°C
截止电压:9V
测量时间:5ns
电压 Vbr:11.1V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
美国3029
新加坡 0
英国379 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SMBJ9.0A - 二极管 TVS 单向 9.0V 600W |
封装形式:DO-214AA
针脚数:2
二极管类型:TVS, Unidirectional
??装类型:DO-214AA
工作温度范围:-55°C to +150°C
截止电压:9V
测量时间:1ps
电压 Vbr:11.1V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
美国2363
新加坡350
英国350 |
1 |
1 |
|
| 共 837 页 | 第 57 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
简体中文