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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
FUJI ELECTRIC - YA971S6R - 二极管 快速 8A 600V FUJI ELECTRIC - YA971S6R - 二极管 快速 8A 600V
  • 二极管类型:快速恢复
  • 电压, Vrrm:600V
  • 电流, If 平均:8A
  • 正向电压 Vf 最大:1.55V
  • 时间, trr 最大:50ns
  • 电流, Ifs 最大:70A
  • 封装形式:TO-220F
  • 针脚数:2
  • 外壳温度, Tc If:116°C
  • 封装类型:TO-220F
  • 正向电压, 于If:1.55V
  • 电流, If @ Vf:8A
  • 电流, Ifsm:70A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 重量:2g
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国17
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5281A - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - NTE5281A - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • DO-5
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKD 100/12 - 桥式整流器模块 SEMIKRON - SKD 100/12 - 桥式整流器模块
  • 桥式整流器模块
  • 1.35V
  • 150A
  • 1200V (Vrrm)
  • G-18
  • 美国 0
    上海 0
    美国30
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKND 202E01 - 闸流管-二极管模块 SEMIKRON - SKND 202E01 - 闸流管-二极管模块
  • 闸流管-二极管模块
  • 325A
  • 无库存 1 3 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKD 100/12 - 半导体闸流管二极管模块 SEMIKRON - SKKD 100/12 - 半导体闸流管二极管模块
  • 半导体闸流管二极管模块
  • 1200V (Vrrm)
  • TO-240AA
  • 175A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5812 - 标准恢复功率整流器 NTE ELECTRONICS - NTE5812 - 标准恢复功率整流器
  • 标准恢复功率整流器
  • 0.95V
  • 6A
  • 100V (Vrrm)
  • DO-201
  • 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5296A - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - NTE5296A - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • 50W功耗
  • DO-5
  • 美国 0
    上海 0
    美国2
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE525 - 功率整流器 NTE ELECTRONICS - NTE525 - 功率整流器
  • 功率整流器
  • 500A
  • DO-41
  • 美国 0
    上海 0
    美国247
    新加坡 0
    1 2 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE5147A - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - NTE5147A - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • 5W功耗
  • DO-35
  • 25mA
  • 美国 0
    上海 0
    美国49
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE506 - 标准恢复整流器 NTE ELECTRONICS - NTE506 - 标准恢复整流器
  • 标准恢复整流器
  • 1500V (Vrrm)
  • DO-41
  • 美国 0
    上海 0
    美国1854
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE138A - 齐纳二极管 NTE ELECTRONICS - NTE138A - 齐纳二极管
  • 齐纳二极管
  • 34mA
  • DO-35
  • 美国 0
    上海 0
    美国11
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    ALLEGRO SANKEN - 2SA1673 - 晶体管 PNP TO-3PF ALLEGRO SANKEN - 2SA1673 - 晶体管 PNP TO-3PF
  • 晶体管极性:PNP
  • 电压, Vceo:180V
  • 截止频率 ft, 典型值:20MHz
  • 封装类型:TO-3PF
  • 基极电流, Ib:4A
  • 封装类型:TO-3PF
  • 总功率, Ptot:85W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:200V
  • 电流, Ic hFE:3A
  • 电流, Ic 最大:15A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:50
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 集电极电流, Ic 平均值:15A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    ALLEGRO SANKEN - 2SC4388 - 晶体管 NPN TO-3PF ALLEGRO SANKEN - 2SC4388 - 晶体管 NPN TO-3PF
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:180V
  • 截止频率 ft, 典型值:20MHz
  • 封装类型:TO-3PF
  • 基极电流, Ib:4A
  • 封装类型:TO-3PF
  • 总功率, Ptot:85W
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:通用电源
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:200V
  • 电流, Ic hFE:3A
  • 电流, Ic 最大:15A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:50
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 集电极电流, Ic 平均值:15A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU805 - 整流桥8A 600V TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU805 - 整流桥8A 600V
  • 相数:单相
  • 电压, Vrrm:600V
  • 电流, If 平均:8A
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 安装类型:Through Hole
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:GBU
  • 针脚数:4
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 主体高度, 最大:18.8mm
  • 二极管类型:桥式整流器,单相
  • 反向电流, Ir 最大值:5μA
  • 器件标记:GBU805
  • 外宽:22.3mm
  • 外部深度:3.56mm
  • 外部长度/高度:18.8mm
  • 封装类型:GBU
  • 工作温度最低:-55°C
  • 工作温度最高:150°C
  • 引脚节距:5.1mm
  • 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
  • 电流, If @ Vf:8A
  • 电流, Ifs 最大:200A
  • 相数:Single
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 输入电压 有效值:420V
  • 输出电流 最大:8A
  • 重量:0.004kg
  • 阻燃性等级:UL 04V-0
  • 额定电压, 交流:420V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU804 - 整流桥8A 400V TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU804 - 整流桥8A 400V
  • 相数:单相
  • 电压, Vrrm:400V
  • 电流, If 平均:8A
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 安装类型:Through Hole
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:GBU
  • 针脚数:4
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 主体高度, 最大:18.8mm
  • 二极管类型:桥式整流器,单相
  • 反向电流, Ir 最大值:5μA
  • 器件标记:GBU804
  • 外宽:22.3mm
  • 外部深度:3.56mm
  • 外部长度/高度:18.8mm
  • 封装类型:GBU
  • 工作温度最低:-55°C
  • 工作温度最高:150°C
  • 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
  • 电流, If @ Vf:8A
  • 电流, Ifs 最大:200A
  • 相数:Single
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 输入电压 有效值:280V
  • 输出电流 最大:8A
  • 重量:0.004kg
  • 阻燃性等级:UL 04V-0
  • 额定电压, 交流:280V
  • 上海 0
    新加坡50
    英国859
    1 1 询价,无需注册 订购
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