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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - BA159G - 二极管快速恢复 1A |
二极管类型:快速恢复
电压, Vrrm:1000V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最??:250ns
电流, Ifs 最大:30A
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:DO-41
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:BA159G
外壳温度, Tc If:25°C
外宽:2.7mm
外径:2.7mm
外部深度:2.7mm
外部长度/高度:5.2mm
封装类型:DO-41
批准机构:UL 94V-0
正向电压, 于If:1.2V
正向电流 If:1mA
电流, If @ Vf:1A
电流, Ifsm:30A
结温, Tj 最低:-65°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:轴向引线
重量:0.0003kg
反向电流, Ir 最大值:1A
重复正向电流, Ifrm 峰值:1A
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上海1485
新加坡 0
英国344 |
1 |
5 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - BA157G - 二极管快速恢复 1A |
二极管类型:快速恢复
电压, Vrrm:400V
电流, If 平均:1A
正向电压 Vf 最大:1.2V
时间, trr 最大:150ns
电流, Ifs 最大:30A
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装形式:DO-41
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
器件标记:BA157G
外壳温度, Tc If:25°C
外宽:2.7mm
外径:2.7mm
外部深度:2.7mm
外部长度/高度:5.2mm
封装类型:DO-41
批准机构:UL 94V-0
正向电压, 于If:1.2V
正向电流 If:1mA
电流, If @ Vf:1A
电流, Ifsm:30A
结温, Tj 最低:-65°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:轴向引线
重量:0.0003kg
反向电流, Ir 最大值:1A
重复正向电流, Ifrm 峰值:1A
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上海1500
新加坡 0
英国4993 |
1 |
5 |
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NTE ELECTRONICS - 1N4002 - 标准恢复整流器 |
标准恢复整流器
100V (Vrrm)
DO-41
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美国 0
上海 0
美国175
新加坡24 |
1 |
1 |
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RENESAS - 2SJ182L - 场效应管 MOSFET P D-PAK |
晶体管极性:P沟道
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.55ohm
功耗:20W
封装类型:D-PAK
功率, Pd:20W
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:D-PAK
引线长度:16.3mm
引脚节距:2.28mm
时间, t off:85ns
时间, t on:30ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Id 连续:3A
电流, Idm 脉冲:12A
表面安装器件:表面安装
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停产 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZVP2120G - 场效应管 MOSFET P SOT-223 |
晶体管极性:P沟道
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):25ohm
功耗:2W
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZVP2120
功率, Pd:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Id 连续:0.2A
电流, Idm 脉冲:1.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 最高:-3.5V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZVN2120G - 场效应管 MOSFET N SOT-223 |
晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:200V
开态电阻, Rds(on):10ohm
功耗:2W
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZVN2120
功率, Pd:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Id 连续:0.32A
电流, Idm 脉冲:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 最高:3V
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - 1N3296A - 标准恢复功率整流器 |
标准恢复功率整流器
1.5V
100A
1200V (Vrrm)
DO-9
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无库存 |
1 |
1 |
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POWEREX - 1N3289A - 标准恢复功率整流器 |
标准恢复功率整流器
1.5V
100A
200V (Vrrm)
DO-9
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美国 0
上海 0
美国55
新加坡 0 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP25TEA-120-50 - IGBT6 PACK MOD1200V25AP622 |
集电极直流电流:25A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:139W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-20°C to +100°C
针脚数:25
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP150TEA-060-50 - IGBT6 PACK MOD600V150AP622 |
集电极直流电流:150A
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
最大功耗:431W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-20°C to +100°C
针脚数:25
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBI35S-120-50 - IGBT6 PACK MOD1200V35AM623 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPT
集电极直流电流:35A
饱和电压, Vce sat 最大:2.65V
最大功耗:240W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M623
针脚数:17
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上海 0
新加坡 0
英国8 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBI10S-120-50 - IGBT6 PACK MOD1200V10AM623 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPT
集电极直流电流:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:75W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M623
针脚数:17
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBI75U2A-060-50 - IGBT6 PACK MOD600V75AM636 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:255W
电压, Vceo:600V
针脚数:28
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI450U4J-120-50 - IGBT2 PACK MOD1200V450AM25 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:Trench
集电极直流电流:450A
饱和电压, Vce sat 最大:2.05V
最大功耗:2.08kW
电压, Vceo:1200V
针脚数:22
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI300U4J-120-50 - IGBT2 PACK MOD1200V300AM25 |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:Trench
集电极直流电流:300A
饱和电压, Vce sat 最大:2.05V
最大功耗:1.385kW
电压, Vceo:1200V
针脚数:22
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无库存 |
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