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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
CROUZET - L312F - 晶闸管/二极管模块 CROUZET - L312F - 晶闸管/二极管模块
  • 电压, Vdrm:600V
  • 电流, Igt:100mA
  • 电流, It 平均:15A
  • 电流, Itsm (50Hz):225A
  • 电压, Vgt:2.5V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
  • 电流, Itsm:225A
  • 模块配置:续流二极管
  • 上海 0
    新加坡5
    英国11
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - MJ10016 - 晶体管 NTE ELECTRONICS - MJ10016 - 晶体管
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:500V
  • 功耗, Pd:250W
  • 集电极直流电流:50A
  • 直流电流增益 hFE:25
  • 封装类型:TO-3
  • 针??数:2
  • 功耗:250W
  • 封装类型:TO-3
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:10
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:5V
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国6
    1 1 询价,无需注册 订购
    CROUZET - B612F-2T - 晶闸管模块 CROUZET - B612F-2T - 晶闸管模块
  • 电压, Vdrm:600V
  • 电流, Igt:80mA
  • 电流, It 平均:42.5A
  • 电流, Itsm (50Hz):600A
  • 电压, Vgt:3V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
  • 电流, Itsm:600A
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 模块配置:续流二极管
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 1N4148 - 整流二极管 标准恢复型 NTE ELECTRONICS - 1N4148 - 整流二极管 标准恢复型
  • 二极管类型:Standard Recovery
  • 电压, Vrrm:75V
  • 电流, If 平均:300mA
  • 正向电压 Vf 最大:1V
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 封装类型:DO-35
  • 电流, Ifsm:1A
  • 结温, Tj 最高:175°C
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡178
    英国927
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 2N3054 - 晶体管 NTE ELECTRONICS - 2N3054 - 晶体管
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:300V
  • 功耗, Pd:25W
  • 集电极直流电流:4A
  • 直流电流增益 hFE:40
  • 封装类型:TO-66
  • 针脚数:2
  • 功耗:35W
  • 封装类型:TO-66
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 最大连续电流, Ic:2A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:25
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:0.75V
  • 上海 0
    新加坡25
    英国58
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - MJ10012 - 晶体管 NTE ELECTRONICS - MJ10012 - 晶体管
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:500V
  • 功耗, Pd:175W
  • 集电极直流电流:10A
  • 直流电流增益 hFE:300
  • 封装类型:TO-3
  • 针???数:2
  • 功耗:175W
  • 封装类型:TO-3
  • 晶体管类型:Bipolar
  • 最大连续电流, Ic:20A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:30
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
  • 上海 0
    美国 0
    新加坡 0
    英国41
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKN 20/16 - 二极管 20A 1600V SEMIKRON - SKN 20/16 - 二极管 20A 1600V
  • 二极管类型:Standard Recovery
  • 电压, Vrrm:1600V
  • 电流, If 平均:25A
  • 正向电压 Vf 最大:1.55V
  • 电流, Ifs 最大:375A
  • 封装形式:E9
  • 封装类型:E9
  • 电流, Ifsm:375A
  • 结温, Tj 最高:180°C
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国31
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - NTE2395 - 场效应管 MOSFET N NTE ELECTRONICS - NTE2395 - 场效应管 MOSFET N
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:50A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 电压 @ Rds???量:10V
  • 电压, Vgs 最高:4V
  • 功耗:150W
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:50A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国27
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKM 300GAL123D - 晶体管 IGBT N型 SEMIKRON - SKM 300GAL123D - 晶体管 IGBT N型
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:300A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 封装类型:D56
  • 针脚数:5
  • 封装类型:D56
  • 晶体管极性:N Channel
  • 电压, Vces:1200V
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKB 15/16 A2 - 桥式二极管整流器 SEMIKRON - SKB 15/16 A2 - 桥式二极管整流器
  • 相数:三相
  • 电压, Vrrm:1600V
  • 正向电压 Vf 最大:2.2V
  • 安装类型:Panel
  • 封装类型:G9
  • 封装类型:SKB15
  • 相数:1
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国13
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMTECH - SD12.TCT - 二极管 TVS SEMTECH - SD12.TCT - 二极管 TVS
  • 电压, Vrwm:12V
  • 击穿电压范围:13.3V
  • 钳位电压 最大:25V
  • 二极管配置:Unidirectional
  • 封装形式:SOD-323
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:TVS
  • 封装类型:SOD-323
  • 截止电压:5V
  • 电压 Vbr:6V
  • 电容, Cd典型值 @ Vr:350pF
  • 脉冲峰值功率:350W
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国18
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKKH 57/16 E - 晶闸管模块 SEMIKRON - SKKH 57/16 E - 晶闸管模块
  • 电压, Vdrm:1600V
  • 电流, Igt:150mA
  • 电流, It 平均:50A
  • 电流, It 有效值:130A
  • 电流, Itsm (50Hz):1.5kA
  • 最大保持电流 (Ih):250mA
  • 电压, Vgt:3V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:模块
  • 针脚数:5
  • 封装类型:A46
  • 晶闸管/双向晶闸管类型:可控硅(SCR)
  • 电压, Vrrm:1600V
  • 电流, Itsm:1500A
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 模块配置:串联 晶闸管 + 二极管
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 1N5349B - 齐纳二极管 12V 5W NTE ELECTRONICS - 1N5349B - 齐纳二极管 12V 5W
  • 齐纳二极管 12V 5W
  • 美国 0
    上海 0
    美国299
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 1N5341B - 齐纳二极管 6.2V 5W NTE ELECTRONICS - 1N5341B - 齐纳二极管 6.2V 5W
  • 齐纳二极管 6.2V 5W
  • 美国 0
    上海 0
    美国236
    新加坡60
    1 1 询价,无需注册 订购
    NTE ELECTRONICS - 1N5334B - 齐纳二极管 3.6V 5W NTE ELECTRONICS - 1N5334B - 齐纳二极管 3.6V 5W
  • 齐纳二极管 3.6V 5W
  • 美国 0
    上海 0
    美国573
    新加坡 0
    1 1 询价,无需注册 订购
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