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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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VISHAY SILICONIX - 2N5485-E3 - 晶体管 |
晶体管
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SST4393-T1-E3 - 晶体管 JFET |
晶体管 JFET
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无库存 |
1 |
1 |
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NXP - PMBFJ112 - 场效应管 JFET N RF SOT23 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:40V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:5mA
电压, Vgs off 最大:3V
功耗:300mW
封装类型:SOT-23
??断电压, Vgs off 最低:-10V
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.3W
晶体管极性:N Channel
栅极电流, Ig:50mA
电压, Vds 最大:40V
电流, Idss 最小:5mA
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:50ohm
针脚配置:D(1),S(2),G(3)
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上海455 新加坡 0 英国2098 |
1 |
10 |
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NXP - BF545B - 场效应管 JFET N RF SOT23 |
晶体管类型:JFET
电压, V(br)gss:30V
零栅极电压漏极电流范围 Idss:6mA to 15mA
电压, Vgs off 最大:7.5V
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
关???电压, Vgs off 最低:-0.4V
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.25W
晶体管极性:N Channel
栅极电流, Ig:10mA
电压, Vds 最大:30V
电流, Idss 最大:15mA
电流, Idss 最小:6mA
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚配置:S(1), D(2), G(3)
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上海 0 新加坡8 英国2169 |
1 |
10 |
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VISHAY SILICONIX - 2N5564-E3 - 晶体管 JFET |
晶体管 JFET
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - J202-E3. - 晶体管 JFET 击穿电压-40V |
晶体管 JFET 击穿电压-40V
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - U406-E3 - 晶体管 JFET N通道 |
晶体管 JFET N通道
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无库存 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - SST404-E3. - 场效应管 JFET 双NPN 0.500W 8-SOIC 10mA |
场效应管 JFET 双NPN 0.500W 8-SOIC 10mA
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无库存 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - J310-E3 - 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-226AA (TO-92) 10mA |
场效应管 JFET NPN 0.350W TO-226AA (TO-92) 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - VCR7N-E3. - 场效应管 JFET TO-206AF (TO-72) 10mA |
场效应管 JFET TO-206AF (TO-72) 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - U421-E3 - 场效应管 JFET 双NPN 0.500W TO-78 10mA |
场效应管 JFET 双NPN 0.500W TO-78 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - U431-E3. - 场效应管 JFET 双NPN 0.500W TO-78 10mA |
场效应管 JFET 双NPN 0.500W TO-78 10mA
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无库存 |
1 |
25 |
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VISHAY SILICONIX - VCR2N-E3. - 场效应管 JFET TO-206AA (TO-18) 10mA |
场效应管 JFET TO-206AA (TO-18) 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - J305-E3. - 场效应管 JFET NPN 0.350W TO-226AA (TO-92) 10mA |
场效应管 JFET NPN 0.350W TO-226AA (TO-92) 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - J270-E3 - 场效应管 JFET 双PNP TO-226AA (TO-92) 10mA |
场效应管 JFET 双PNP TO-226AA (TO-92) 10mA
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无库存 |
1 |
1 |
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