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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ROHM - RSS125N03FU6TB - 场效应管 MOSFET N 30V 12.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态??阻, Rds(on):6.5mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:12.5A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:6.5mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:8.6mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2464 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS110N03FU6TB - 场效应管 MOSFET N 30V 11A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):7.6mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:11A
电流, Idm 脉冲:44A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7.6mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:10.3mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2344 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS095N05FU6TB - 场效应管 MOSFET N 45V 9.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:45V
开态电??, Rds(on):11mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:9.5A
电流, Idm 脉冲:38A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:14mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国849 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS090P03FU6TB - 场效应管 MOSFET P 30V 9A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.023ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:9A
电流, Idm 脉冲:36A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国244 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS085N05FU6TB - 场效应管 MOSFET N 45V 8.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:45V
开态电??, Rds(on):13mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:8.5A
电流, Idm 脉冲:34A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:13mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:16mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2254 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS075P03FU6TB - 场效应管 MOSFET P 30V 7.5A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:30V
开态电??, Rds(on):0.035ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:7.5A
电流, Idm 脉冲:30A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2457 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS070P05FU6TB - 场效应管 MOSFET P 45V 7A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):0.039ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-45V
电流, Id 连续:7A
电流, Idm 脉冲:28A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2237 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS070N05FU6TB - 场效应管 MOSFET N 45V 7A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):18mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
电流, Idm 脉冲:28A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:18mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:23mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2058 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS065N03FU6TB - 场效应管 MOSFET N 30V 6.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态电??, Rds(on):19mohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:ESD Protection Type
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:6.5A
电流, Idm 脉冲:26A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:19mohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:27mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国1942 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS060P05FU6TB - 场效应管 MOSFET P 45V 6A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):0.053ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-45V
电流, Id 连续:6A
电流, Idm 脉冲:24A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2251 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS050P03FU6TB - 场效应管 MOSFET P 30V 5A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.077ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:20A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2382 |
1 |
1 |
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ROHM - RSS040P03FU6TB - 场效应管 MOSFET P 30V 4A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.077ohm
封装类型:SOP
功率, Pd:2W
封装类型:SOP-8
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:5A
电流, Idm 脉冲:20A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2107 |
1 |
1 |
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ROHM - RSQ045N03TR - 场效应管 MOSFET N 30V 4.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.038ohm
封装类型:TSMT6
上升时间:19ns
下降时间:14ns
功率, Pd:1.25W
封装类型:TSMT6
晶体管类型:Enhancement + Flywheel Diode
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电容值, Ciss 典型值:520pF
电流, Id 连续:4.5A
电流, Idm 脉冲:18A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.038ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.051ohm
针脚配置:D(1+2+5+6), G(3), S(4)
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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无库存 |
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1 |
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ROHM - RSQ035P03TR - 场效应管 MOSFET P 30V 3.5A |
晶体管极性:P
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
封装类型:TSMT6
功率, Pd:1.25W
封装类型:TSMT6
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:3.5A
电流, Idm 脉冲:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
阈值电压, Vgs th 最高:-2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国1721 |
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1 |
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ROHM - RSQ035N03TR - 场效应管 MOSFET N 30V 3.5A |
晶体管极性:N
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.062ohm
封装类型:TSMT6
上升时间:9ns
下降时间:6ns
功率, Pd:1.25W
封装类型:TSMT6
晶体管类型:ESD Protected Enhancement + Flywheel Diode
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电容值, Ciss 典型值:290pF
电流, Id 连续:3.5A
电流, Idm 脉冲:14A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.062ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.084ohm
针脚配置:D(1+2+5+6), G(3), S(4)
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
阈值电压, Vgs th 最高:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2522 |
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