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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BZG03-C180 - 齐纳二极管 3W 180V |
电压, Vz:180V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C801 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:5mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C100 - 齐纳二极管 3W 100V |
电压, Vz:100V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C100 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:5mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C33 - 齐纳二极管 3W 33V |
电压, Vz:33V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C33 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:25mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C30 - 齐纳二极管 3W 30V |
电压, Vz:30V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C30 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:25mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C24 - 齐纳二极管 3W 24V |
电压, Vz:24V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C24 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:25mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C18 - 齐纳二极管 3W 18V |
电压, Vz:18V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C18 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:25mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C15 - 齐纳二极管 3W 15V |
电压, Vz:15V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C15 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:50mA
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上海 0
新加坡1613
英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C12 - 齐纳二极管 3W 12V |
电压, Vz:12V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C12 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:50mA
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上海 0
新加坡 0
英国2145 |
1 |
5 |
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NXP - BZG03-C10 - 齐纳二极管 3W 10V |
电压, Vz:10V
封装形式:SMA
针脚数:2
SMD标号:BZG03C10 PH
二极管类型:齐纳式
外宽:5.5mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:2.65mm
容差:5%
封装类型:SMA
封装类型, 替代:DO-214AC
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
表面安装器件:表面安装
齐纳电流:50mA
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停产 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX55-C27 - 齐纳二极管 500MW 27V |
电压, Vz:27V
封装形式:DO-35
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
齐纳电流:5mA
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无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX55-C11 - 齐纳二极管 500MW 11V |
电压, Vz:11V
封装形式:DO-35
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
齐纳电流:5mA
|
无库存 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BZX55-C10 - 齐纳二极管 500MW 10V |
电压, Vz:10V
封装形式:DO-35
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
齐纳电流:5mA
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停产 |
1 |
5 |
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NXP - BZX79-B6V2 - 二极管齐纳击穿 500MW 6.2V |
电压, Vz:6.2V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.4W
正向电压 Vf 最大:6.32V
正向电压 Vf 最小:6.08V
测试电流:5mA
满功率温度:50°C
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
新加坡344
英国10287 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-B5V6 - 二极管齐纳击穿 500MW 5.6V |
电压, Vz:5.6V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.4W
正向电压 Vf 最大:5.71V
正向电压 Vf 最小:5.49V
测试电流:5mA
满功率温度:50°C
表面安装器件:轴向引线
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上海10
新加坡382
英国784 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-B5V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 5.1V |
电压, Vz:5.1V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.4W
正向电压 Vf 最大:5.2V
正向电压 Vf 最小:5V
测试电流:5mA
满功率温度:50°C
表面安装器件:轴向引线
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上海1449
新加坡179
英国11889 |
1 |
10 |
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| 共 88 页 | 第 72 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
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