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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BZX79-B4V7 - 二极管齐纳击穿 500MW 4.7V |
电压, Vz:4.7V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.4W
正向电压 Vf 最大:4.79V
正向电压 Vf 最小:4.61V
测试电流:5mA
满功率温度:50°C
表面安装器件:轴向引线
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上海 0
新加坡180
英国17574 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-B12 - 二极管齐纳击穿 500MW 12V |
电压, Vz:12V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.4W
正向电压 Vf 最大:12.2V
正向电压 Vf 最小:11.8V
测试电流:5mA
满功率温度:50°C
表面安装器件:轴向引线
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上海1200
新加坡60
英国20209 |
1 |
10 |
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NXP - BZV85-C9V1 - 二极管齐纳击穿 1.3W 9.1V |
电压, Vz:9.1V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C9V1
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:25mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡386
英国27707 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C8V2 - 二极管齐纳击穿 1.3W 8.2V |
电压, Vz:8.2V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C8V2
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:25mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡110
英国4754 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C7V5 - 二极管齐纳击穿 1.3W 7.5V |
电压, Vz:7.5V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C7V5
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:35mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡100
英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C75 - 齐纳二极管 1.3W 75V |
电压, Vz:75V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:4mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海210
新加坡70
英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C6V8 - 二极管齐纳击穿 1.3W 6.8V |
电压, Vz:6.8V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C6V8
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:35mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡 0
英国1206 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C6V2 - 二极管齐纳击穿 1.3W 6.2V |
电压, Vz:6.2V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C6V2
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:35mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海10
新加坡100
英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C62 - 齐纳二极管 1.3W 62V |
电压, Vz:62V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:4mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海10
新加坡50
英国2645 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C5V6 - 二极管齐纳击穿 1.3W 5.6V |
电压, Vz:5.6V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C5V6
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:45mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海800
新加坡 0
英国 0 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C5V1 - 二极管齐纳击穿 1.3W 5.1V |
电压, Vz:5.1V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C5V1
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:45mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海20
新加坡 0
???国7768 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C56 - 齐纳二极管 1.3W 56V |
电压, Vz:56V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:4mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海 0
新加坡289
英国2641 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C47 - 齐纳二极管 1.3W 47V |
电压, Vz:47V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:Zener
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:4mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海70
新加坡88
英国11957 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C43 - 二极管齐纳击穿 1.3W 43V |
电压, Vz:43V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:6mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海335
新加坡120
英国1338 |
1 |
5 |
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NXP - BZV85-C39 - 二极管齐纳击穿 1.3W 39V |
电压, Vz:39V
最大功耗:1W
封装形式:DO-41
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
器件标记:BZV85-C39
外径:2.6mm
外部长度/高度:4.8mm
容差:5%
封装类型:DO-41
总功率, Ptot:1W
测试电流:6mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:500mA
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上海1130
新加坡 0
英国26264 |
1 |
5 |
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