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齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V

齐纳二极管 Vz

  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

最高击穿电压

  • 6.2V
  • 10.5V
  • 5.36V
  • 2.6V
  • 5.4V
  • 4.52V
  • 12V
  • 12.7V
  • 4.94V
  • 15.75V
  • 3.15V
  • 5V
  • 5.88V
  • 4.1V
  • 1.89V

最大功耗

  • 1.3W
  • 400mW
  • 3.25W
  • 2.3W
  • 0.35W
  • 3W
  • 0.7W
  • 0.225W
  • 0.8W
  • 250mW
  • 400W
  • 225mW
  • 0.55W
  • 3000mW
  • 1W
  • 1.5W
  • 1500mW
  • 300mW
  • 200mW
  • 0.5W
  • 20W
  • 5W
  • 1.30W
  • 1.25W
  • 410mW
  • 500mW
  • 350mW

总功率, Ptot

  • 0.225W
  • 20W
  • 3.25W
  • 0.4W
  • 0.5W
  • 1.5W
  • 0.2W
  • 0.35W
  • 1.3W
  • 75W
  • 1W
  • 0.3W
  • 3W
  • 0.8W
  • 0.7W
  • 3.2W
  • 0.41W
  • 250mW

重复正向电流, Ifrm 峰值

  • 250mA
  • 250mA

正向电压 Vf 最大

  • 1.1V
  • 1V
  • 5.71V
  • 5.2V
  • 1.25V
  • 6.32V
  • 4.79V
  • 12.2V
  • 0.9V
  • 1.2V
  • 0.6V

正向电压 Vf 最小

  • 5.49V
  • 6.08V
  • 5V
  • 11.8V
  • 4.61V

针脚数

  • 3
  • 5
  • 6
  • 4
  • 2
  • 8

正向电流 If

  • 100mA
  • 0.5A
  • 300mA
  • 250mA
  • 200mA
  • 600mA

芯片标号

  • 4040
  • 4041

温度系数 ±

  • 80ppm
  • 15 ppm
  • 4 ppm
  • 3 ppm
  • 20ppm/°C
  • 100ppm/°C
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
NXP - BZX79-C2V7 - 二极管齐纳击穿 500MW 2.7V NXP - BZX79-C2V7 - 二极管齐纳击穿 500MW 2.7V
  • 电压, Vz:2.7V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海200
    新加坡105
    英国7202
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C2V4 - 二极管齐纳击穿 500MW 2.4V NXP - BZX79-C2V4 - 二极管齐纳击穿 500MW 2.4V
  • 电压, Vz:2.4V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海1900
    新加坡8750
    英国50596
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C27 - 二极管齐纳击穿 500MW 27V NXP - BZX79-C27 - 二极管齐纳击穿 500MW 27V
  • 电压, Vz:27V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:2mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:2mA
  • 上海680
    新加坡73
    英国7476
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C22 - 二极管齐纳击穿 500MW 22V NXP - BZX79-C22 - 二极管齐纳击穿 500MW 22V
  • 电压, Vz:22V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海3500
    新加坡2700
    英国24501
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C18 - 二极管齐纳击穿 500MW 18V NXP - BZX79-C18 - 二极管齐纳击穿 500MW 18V
  • 电压, Vz:18V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海50
    新加坡497
    英国11879
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C16 - 二极管齐纳击穿 500MW 16V NXP - BZX79-C16 - 二极管齐纳击穿 500MW 16V
  • 电压, Vz:16V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海100
    新加坡4178
    英国11556
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C15 - 齐纳二极管 15V 500mW NXP - BZX79-C15 - 齐纳二极管 15V 500mW
  • 电压, Vz:15V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外???:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海560
    新加坡2277
    英国19208
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C13 - 二极管齐纳击穿 500MW 13V NXP - BZX79-C13 - 二极管齐纳击穿 500MW 13V
  • 电压, Vz:13V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海70
    新加坡15
    英国13546
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C12 - 二极管齐纳击穿 500MW 12V NXP - BZX79-C12 - 二极管齐纳击穿 500MW 12V
  • 电压, Vz:12V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海1250
    新加坡1068
    英国24334
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C11 - 二极管齐纳击穿 500MW 11V NXP - BZX79-C11 - 二极管齐纳击穿 500MW 11V
  • 电压, Vz:11V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海1700
    新加坡133
    英国1621
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZX79-C10 - 二极管齐纳击穿 500MW 10V NXP - BZX79-C10 - 二极管齐纳击穿 500MW 10V
  • 电压, Vz:10V
  • 最大功耗:400mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:DO-35
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:齐纳式
  • 外径:2mm
  • 外部长度/高度:4.5mm
  • 容差:5%
  • 封装类型:DO-35
  • 封装类型, 替代:SOD-27
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:轴向引线
  • 齐纳电流:5mA
  • 上海670
    新加坡207
    英国 0
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BZV55-C20 - 二极管齐纳击穿 500MW 20V NXP - BZV55-C20 - 二极管齐纳击穿 500MW 20V
  • 电压, Vz:20V
  • 最大功耗:500mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:SOD-80C
  • 针脚数:2
  • SMD标号:黄色色带标示
  • 二极管类型:齐纳式
  • 容差:5%
  • 封装类型:SOD-80C
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上???400
    新加坡213
    英国2787
    1 5 询价,无需注册 订购
    NXP - BZV55-C18 - 二极管齐纳击穿 500MW 18V NXP - BZV55-C18 - 二极管齐纳击穿 500MW 18V
  • 电压, Vz:18V
  • 最大功耗:500mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:SOD-80C
  • 针脚数:2
  • SMD标号:黄色色带标示
  • 二极管类型:齐纳式
  • 容差:5%
  • 封装类型:SOD-80C
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上???664
    新加坡1708
    英国 0
    1 5 询价,无需注册 订购
    NXP - BZV55-C9V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V NXP - BZV55-C9V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V
  • 电压, Vz:9.1V
  • 最大功耗:500mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:SOD-80C
  • 针脚数:2
  • SMD标号:黄色色带标??
  • 二极管类型:齐纳式
  • 容差:5%
  • 封装类型:SOD-80C
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海435
    新加坡2074
    英国4286
    1 5 询价,无需注册 订购
    NXP - BZV55-C8V2 - 二极管齐纳击穿 500MW 8.2V NXP - BZV55-C8V2 - 二极管齐纳击穿 500MW 8.2V
  • 电压, Vz:8.2V
  • 最大功耗:500mW
  • 工作温度范围:-65°C to +200°C
  • 封装形式:SOD-80C
  • 针脚数:2
  • SMD标号:黄色色带标??
  • 二极管类型:齐纳式
  • 容差:5%
  • 封装类型:SOD-80C
  • 总功率, Ptot:0.5W
  • 测试电流:5mA
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海20
    新加坡500
    英国14627
    1 5 询价,无需注册 订购
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