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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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NXP - BZX79-C75 - 二极管齐纳击穿 500MW 75V |
电压, Vz:75V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡110
英国15723 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C6V8 - 二极管齐纳击穿 500MW 6.8V |
电压, Vz:6.8V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海500
新加坡11195
英国33933 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C6V2 - 二极管齐纳击穿 500MW 6.2V |
电压, Vz:6.2V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海 0
新加坡105
英国12900 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C5V6 - 二极管齐纳击穿 500MW 5.6V |
电压, Vz:5.6V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海 0
新加坡8398
英国8085 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C5V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 5.1V |
电压, Vz:5.1V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海120
新加坡5500
英国11715 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C4V7 - 二极管齐纳击穿 500MW 4.7V |
电压, Vz:4.7V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海 0
新加坡9027
英国12602 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C4V3 - 二极管齐纳击穿 500MW 4.3V |
电压, Vz:4.3V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海 0
新加坡60
英国3052 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C47 - 二极管齐纳击穿 500MW 47V |
电压, Vz:47V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡311
英国8530 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C3V9 - 二极管齐纳击穿 500MW 3.9V |
电压, Vz:3.9V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海10
新加坡47
英国4938 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C3V6 - 二极管齐纳击穿 500MW 3.6V |
电压, Vz:3.6V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海 0
新加坡 0
英国15721 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C3V3 - 二极管齐纳击穿 500MW 3.3V |
电压, Vz:3.3V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海750
新加坡425
英国19635 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C3V0 - 二极管齐纳击穿 500MW 3.0V |
电压, Vz:3V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:5mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:5mA
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上海200
新加坡518
英国19246 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C39 - 二极管齐纳击穿 500MW 39V |
电压, Vz:39V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡100
英国2435 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C36 - 二极管齐纳击穿 500MW 36V |
电压, Vz:36V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡 0
英国14644 |
1 |
10 |
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NXP - BZX79-C30 - 二极管齐纳击穿 500MW 30V |
电压, Vz:30V
最大功耗:400mW
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装形式:DO-35
针脚数:2
二极管类型:齐纳式
外径:2mm
外部长度/高度:4.5mm
容差:5%
封装类型:DO-35
封装类型, 替代:SOD-27
总功率, Ptot:0.5W
测试电流:2mA
表面安装器件:轴向引线
齐纳电流:2mA
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上海 0
新加坡1136
英国9171 |
1 |
10 |
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