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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ROHM - 2SD2114KT146V - 晶体管 SMT3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:350MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:820
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:820
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡133 英国1616 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD2098T100R - 晶体管 MPT3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:20V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Low Saturation
最大连续电流, Ic:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡 0 英国578 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1980TL - 晶体管 D-PAK BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:1000
工作温??范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-428
功耗:1W
封装类型:SOT-428
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0 新加坡 0 英国2092 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1918TLQ - 晶体管 D-PAK BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-428
功耗:1W
封装类型:SOT-428
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡25 英国 0 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1898T100R - 晶体管 SOT-89 BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:82
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国887 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1898T100Q - 晶体管 SOT-89 BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:82
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国799 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1862TV2Q - 晶体管 ATV ECB NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:32V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ATV
功耗:1W
封装类型:ATV
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:800mV
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上海 0 新加坡140 英国1803 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1857ATV2Q - 晶体管 ATV ECB NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:160V
截止频率 ft, 典型值:80MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:82
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ATV
功耗:1W
封装类型:ATV
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:82
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海10 新加坡 0 英国1172 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1834T100 - 晶体管 SOT-89 BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:2000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:2000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0 新加坡150 英国845 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1782KT146R - 功率晶体管 SMT3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡376 英国5598 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1782KT146Q - 功率晶体管 SMT3 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-346
功耗:200mW
封装类型:SOT-346
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡 0 英国3013 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1767T100R - 晶体管 SOT-89 BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:120MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:120
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-89
功耗:500mW
封装类型:SOT-89
晶体管类型:Medium Power
最大连续电流, Ic:500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400mV
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上海 0 新加坡 0 英国937 |
1 |
1 |
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ROHM - 2SD1760TLR - 晶体管 D-PAK BCE NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:90MHz
功耗, Pd:1W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:82
工作??度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-428
功耗:1W
封装类型:SOT-428
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡 0 英国1924 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MPS750G. - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:75MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
晶体管类型:Small Signal
最大连续电流, Ic:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:40V
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无库存 |
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25 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT6517LT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:350V
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:40
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:225mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:High Voltage
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:30V
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上海 0 新加坡 0 英国348 |
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