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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT5550LT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:140V
功耗, Pd:225mW
集电极直流电流:600mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.225W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:High Voltage
最大连续电流, Ic:60mA
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:60V
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无库存 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT5089LT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:25V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:225mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.225W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Low Noise
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:1200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:400V
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上海 0 新加坡195 英国341 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT2369ALT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:40
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:225mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Switching
最大连续电流, Ic:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海 0 新加坡1988 英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT2222LT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:600mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:225mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:30V
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无库存 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJF122G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:2000
工作温??范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:30W
封装类型:TO-220
晶体管类型:Bipolar Power
最大连续电流, Ic:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:1
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡50 英国10 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJE700G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:750
??作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-225
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:40W
封装类型:TO-225
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:0.75
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英国83 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJE5742G - 双极性晶体管 达林顿型 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
功耗, Pd:80W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:400
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:80W
封装类型:TO-220
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:0.2
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海 0 新加坡817 英国142 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJD42CG - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:1.75W
集电极直流电流:6A
??流电流增益 hFE:75
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.75W
封装类型:D-PAK
晶体管类型:Bipolar Power
最大连续电流, Ic:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:15
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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无库存 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJD3055G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:2MHz
功耗, Pd:1.75W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:2
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.75W
封装类型:D-PAK
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:20V
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上海 0 新加坡5 英国 0 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJ15001G - 双极晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:140V
截止频率 ft, 典型值:2MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:15A
直流电流增益 hFE:25
工作温度范围:-65°C to +200°C
封装类型:TO-204
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200mW
封装类型:TO-204
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:25
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0 新加坡50 英国39 |
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ON SEMICONDUCTOR - MBT3904DW1T1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:150mW
封装类型:SC-88
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:100V
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无库存 |
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ON SEMICONDUCTOR - BUB323ZT4G - 双极性晶体管 达林顿型 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:350V
截止频率 ft, 典型值:2MHz
功耗, Pd:150W
集电???直流电流:10A
直流电流增益 hFE:3.4
工作温度范围:-65°C to +175°C
封装类型:D2PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:150W
封装类型:D2PAK
晶体管类型:High Voltage
最大连续电流, Ic:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:0.5
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
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上海 0 新加坡100 英国2 |
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ON SEMICONDUCTOR - BF721T1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-300V
截止频率 ft, 典型值:60MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:-50mA
直流电流增益 hFE:60
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:High Voltage
最大连续电流, Ic:-50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:50
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50V
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上海 0 新加坡200 英国520 |
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ON SEMICONDUCTOR - BD137G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:65W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:40
工作???度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:65W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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上海50 新加坡90 英国142 |
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ON SEMICONDUCTOR - BCP53T1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-80V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:1.5A
??流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-223
针脚数:4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:1.5W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:40V
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上海15 新加坡350 英国 0 |
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