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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 2N6520BU - 晶体管 BJT PNP |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-350V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:-500mA
直流电流增益 hFE:30
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:-500mA
直流电流增益 hfe, 最小值:15
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:-1V
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上海 0 新加坡200 英国758 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - PZTA92T1G - 功率二极管/整流器 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-300V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:1.5W
集电极直流电流:-50mA
直流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-65°C to +150°C
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-223
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
封装形式:SOT-223
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上海 0 新加坡200 英国1354 |
1 |
1 |
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NXP - PMBTA42 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:300V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:40
工作温度??围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SMD标号:1D
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:0.2A
总功率, Ptot:250mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
电流, Ic @ Vce饱和:20A
电流, Ic hFE:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:500mV
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上海 0 新加坡23960 英国22650 |
1 |
10 |
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NXP - PMBTA06 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度???围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SMD标号:1G
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:1A
总功率, Ptot:250mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:500mA
电流, Ic @ Vce饱和:100mA
电流, Ic hFE:10mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.25V
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无库存 |
1 |
10 |
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NXP - PMBT3906 - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:100
工作???度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SMD标号:2A
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:0.2A
总功率, Ptot:250mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:200mA
电流, Ic @ Vce饱和:10mA
电流, Ic hFE:1mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:250mV
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上海2820 新加坡19950 英国11314 |
1 |
10 |
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NXP - PMBT2907A - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:600mA
直流电流增益 hFE:100
???作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SMD标号:2F
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
峰值电流, Icm:0.8A
总功率, Ptot:250mW
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:600mA
电流, Ic @ Vce饱和:500mA
电流, Ic hFE:1mA
电流, Ic 最大:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
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上海 0 新加坡2679 英国14181 |
1 |
10 |
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NTE ELECTRONICS - NTE252 - 达林顿晶体管 PNP 100V hfe2400 |
达林顿晶体管 PNP 100V hfe2400
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC546. - 双极晶体管 |
双极晶体管
TO-92
100mA
65V
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无库存 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - NTE294 - 晶体管 BJT PNP 50V V(BR)CEO 1A |
晶体管 BJT PNP 50V V(BR)CEO 1A
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美国 0 上海 0 美国56 新加坡 0 |
1 |
1 |
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NTE ELECTRONICS - NTE2356 - 晶体管 PNP 预偏置 '数字式' 50V Vceo(BR) |
晶体管 PNP 预偏置 '数字式' 50V Vceo(BR)
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美国 0 上海 0 美国64 新加坡 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BSR16... - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
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美国 0 上海 0 美国 0 新加坡95 |
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NTE ELECTRONICS - NTE94 - 晶体管 NPN 300V |
晶体管 NPN 300V
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美国 0 上海 0 美国63 新加坡 0 |
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1 |
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SPC TECHNOLOGY - TIP42C - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
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美国 0 上海 0 美国117 新加坡15 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FJP13009H2TU. - 功率晶体管, NPN 700V/400V/12A |
功率晶体管, NPN 700V/400V/12A
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美国 0 上海 0 美国542 新加坡 0 |
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ON SEMICONDUCTOR - NSS12100M3T5G - 双极性晶体管, PNP 12 V 1A 低VCE(sat) |
双极性晶体管, PNP 12 V 1A 低VCE(sat)
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美国 0 上海 0 美国6561 新加坡200 |
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