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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC858CLT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:225mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.225W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:-100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:800
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:420V
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无库存 |
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1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC857BDW1T1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:380mW
集电极直流??流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-363
针脚数:6
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:380mW
封装类型:SOT-363
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:-100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:475
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:220V
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无库存 |
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1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC847BLT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.3W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200V
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC846BWT1G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:65V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:150mW
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200V
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上海100 新加坡 0 英国10745 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC846BLT1G. - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:65V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:300mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.3W
封装类型:SOT-323
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200V
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无库存 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N6488G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:5MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:15A
直流电流增益 hFE:5
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:40W
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power
最大连续电流, Ic:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:20V
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上海 0 新加坡55 英国308 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N5550G - 放大三极管 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:140V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:600mA
??流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:250
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:60V
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上海 0 新加坡170 英国898 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N5088G. - 放大三极管 NPN |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:50MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:50mA
直流电流增益 hFE:50
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
hFE, 最大:900
功耗:0.625W
封装类型:TO-92
晶体管类型:General Purpose
最大连续电流, Ic:50mA
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:300V
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上海 0 新加坡69 英国1367 |
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ON SEMICONDUCTOR - 2N4922G - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:30W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:3
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-225
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:30W
封装类型:TO-225
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:150
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:30V
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上海 0 新加坡250 英国120 |
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MULTICOMP - 2N930A - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:30mA
直流电流增益 hFE:60
封装类型:TO-18
针脚数:3
功耗:0.5W
封装类型:TO-18
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:30mA
表面安装器件:通孔安装
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上海 0 新加坡80 英国195 |
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MULTICOMP - 2N6107 - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:70V
截止频率 ft, 典型值:10MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:7A
直流电流增益 hFE:150
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功耗:40W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:7A
直流电流增益 hfe, 最小值:2.3
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
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上海 0 新加坡 0 英国15 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MPSA65 - 双极性晶体管 达林顿型 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:1.2A
直流电流增益 hFE:50000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
功耗:625mW
封装类型:TO-92
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:1.2A
直流电流增益 hfe, 最小值:20000
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0 新加坡 0 英国545 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BSR13 - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
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上海 0 美国 0 新加坡 0 英国550 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BCX70J - 双极性晶体管 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:250
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
功耗:350mW
封装类型:SOT-23
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.55V
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上海 0 新加坡10 英国 0 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - BC559B - 双极性晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:-65V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:-100mA
直流电流增益 hFE:110
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
功耗:500mW
封装类型:TO-92
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:-100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:110
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:-650mV
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上海 0 新加坡 0 英??7077 |
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