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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FJY3002R - 晶体管 NPN SOT-523F |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:30
封装类型:SOT-523F
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功耗:200mW
封装类型:SOT-523F
晶体管类型:Digital Bipolar
最大连续电流, Ic:100mA
电压, Vcbo:50V
电压, Vi(on):3V
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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上海 0 新加坡 0 英国275 |
1 |
5 |
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MULTICOMP - BUV48A - 晶体管 NPN 每管25 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
功耗, Pd:150mW
??电极直流电流:15A
封装类型:TO-247
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.8μs
功耗:150W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:高电压开关电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vces:1000V
电流, Ic @ Vce饱和:2A
电流, Ic 最大:15A
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
30 |
1 |
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NXP - BU508AF - 晶体管 NPN 每管25 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
截止频率 ft, 典型值:7MHz
封装类型:SOT-199
针脚数:3
下降时间 @ Ic:1μs
封装类型:SOT-199
总功率, Ptot:34W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:8A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
表面安装器件:径向引线
饱和电流, Ic:4.5A
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无库存 |
25 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BUV298V - 晶体管 NPN ISOTOP封装 每管10只 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
封装类型:ISOTOP
针脚数:4
功耗:250W
封装类型:ISOTOP
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:50A
满功率温度:25°C
电流, Ic @ Vce饱和:32A
电流, Ic hFE:32A
电流, Ic 最大:75A
直流电流增益 hfe, 最小值:12
表面安装器件:螺丝安装
集电极电流, Ic 平均值:50A
饱和电压, Vce sat 最大:1.2V
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无库存 |
10 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - TIP121 - 达林顿晶体管 每管50 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:2W
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:65W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:5A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:3A
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:螺丝安装
集电极电流, Ic 平均值:5A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
50 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - ESM6045DV - 达林顿晶体管 每管10只 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
封装类型:ISOTOP
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:250W
基极电流, Ib:8A
外宽:25.4mm
外部深度:38.2mm
外部长度/高度:12.2mm
封装类型:ISOTOP
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:84A
电压, Vcbo:600V
电流, Ic hFE:70A
电流, Ic 最大:84A
电流, Icm 脉冲:126A
直流电流增益 hfe, 典型值:120
直流电流增益 hfe, 最小值:120
表面安装器件:螺丝安装
针脚配置:b
集电极电流, Ic 平均值:84A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
10 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - ESM6045AV - 达林顿晶体管 每管10只 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
功耗, Pd:250W
集电极直流电流:72A
直流电流增益 hFE:150
封装类型:ISOTOP
针脚数:4
功耗:250W
基极电流, Ib:8A
外宽:25.4mm
外部深度:38.2mm
外部长度/高度:12.2mm
封装类型:ISOTOP
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:72A
电压, Vcbo:1000V
电流, Ic hFE:60A
电流, Ic 最大:72A
电流, Icm 脉冲:108A
直流电流增益 hfe, 典型值:150
直流电流增益 hfe, ??小值:150
表面安装器件:螺丝安装
针脚配置:a
集电极电流, Ic 平均值:72A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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无库存 |
10 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - ESM3030DV - 达林顿晶体管 每管10只 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:300V
封装类型:ISOTOP
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:225W
基极电流, Ib:5A
外宽:25.4mm
外部深度:38.2mm
外部长度/高度:12.2mm
封装类型:ISOTOP
总功率, Ptot:225W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:100A
电压, Vcbo:400V
电流, Ic hFE:85A
电流, Ic 最大:100A
电流, Icm 脉冲:150A
直流电流增益 hfe, 典型值:300
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:螺丝安装
针脚配置:b
集电极电流, Ic 平均值:100A
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
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无库存 |
10 |
1 |
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DIODES INC. - FZT600TA - 达林顿晶体管 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:140V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:2A
直流??流增益 hFE:20000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT600
功耗:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:1000
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:2000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT705TA - 达林顿晶体管 每卷1K |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:160MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:2A
直流??流增益 hFE:3000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FZT705
功耗:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:2A
每卷数量:1000
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:3000
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.3V
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT605TA - 达林顿晶体管 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:1.5A
直流电流增益 hFE:5000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT605
功耗:2W
外宽:6.7mm
外部深度:7.3mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:1.5A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:1000
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:5000
表面安装器件:表面安装
???和电压, Vce sat 最大:1V
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无库存 |
1,000 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBT3904 - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:350mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:300
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:1A
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功耗:350mW
器件标记:BT3904
噪声因子(NF), 最大:5dB
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:350mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:200mA
最小增益带宽 ft:300MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
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无库存 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT619TA - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:619
功耗:625mW
器件标记:MT619
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:625mW
时间, t off:750ns
时间, t on:170ns
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:100MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:200mA
电流, Ic 最大:2A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:220mV
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无库存 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT591TA - 晶体管 PNP 每卷3K |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:591
功耗:500mW
器件标记:MT591
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:180mV
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上海 0 新加坡 0 英国1 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT491TA - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:150
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:491
功耗:500mW
器件标记:MT491
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:150mV
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无库存 |
3,000 |
1 |
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