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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - FMMT593TA - 晶体管 PNP 每卷3K |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:1A
直流电流??益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:593
功耗:500mW
器件标记:MT593
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:50MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:250mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
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上海 0 新加坡 0 英国5 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - FMMT493TA - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:1A
直流电流??益 hFE:100
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:493
功耗:500mW
器件标记:MT493
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:250mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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无库存 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - ZXTN2018FTA - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:6A
直???电流增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SMD标号:851
hFE, 典型值:220
hFE, 最小:100
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:1W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:6A
每卷数量:3000
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 典型值:220
直流电流增益 hfe, 最大值:65
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat ??大:30mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
3,000 |
1 |
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NXP - BC847B.215 - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:290
???作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1F
功耗:250mW
器件标记:BC847B
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:200mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用开关
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:100A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
3,000 |
1 |
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NXP - BC847.215 - 晶体管 NPN 每卷3K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:45V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:110
工作???度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1H
功耗:250mW
器件标记:BC847
噪声因子(NF), 最大:10dB
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:100mA
最小增益带宽 ft:100MHz
每卷数量:3000
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:2mA
电流, Ic 最大:100mA
直流电流增益 hfe, 典型值:125
直流电流增益 hfe, 最小值:125
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:200mV
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无库存 |
3,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT849TA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:3W
集电极直流电流:7A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT849
功耗:3W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:7A
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:7A
电流, Ic 最大:7A
电流, Icm 脉冲:20A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT953TA - 晶体管 PNP 每卷1K |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:3W
集电极直流电流:6A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT953
功耗:3W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:6A
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:200V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:6A
电流, Icm 脉冲:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT851TA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:3W
集电极直流电流:6A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT851
功耗:3W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:3W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:6A
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:150V
电流, Ic hFE:2A
电流, Ic 最大:6A
电流, Icm 脉冲:20A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT692BTA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:70V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:500
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT692B
功耗:2W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:150MHz
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:70V
电流, Ic @ Vce饱和:2A
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:2A
电流, Icm 脉冲:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:400
表面安装器件:表面安装
饱和电???, Vce sat 最大:0.5V
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT1053ATA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:75V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:2.5W
集电极直流电流:4.5A
直流??流增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT1053A
功耗:2.5W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:4.5A
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:150V
电流, Ic @ Vce饱和:4.5A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:4.5A
电流, Icm 脉冲:10A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:440mV
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上海1 新加坡 0 英国 0 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT1049ATA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:180MHz
功耗, Pd:2.5W
集电极直流电流:5A
直流电???增益 hFE:450
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT1049A
功耗:2.5W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2.5W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:5A
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic @ Vce饱和:5A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:5A
电流, Icm 脉冲:20A
直流电流增益 hfe, 最小值:300
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:330mV
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT751TA - 晶体管 PNP 每卷1K |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:140MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SMD标号:FZT751
功耗:2W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:100MHz
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:3A
电流, Icm 脉冲:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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无库存 |
1,000 |
1 |
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DIODES INC. - FZT653TA - 晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:175MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:200
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-223
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:FZT653
功耗:2W
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:2A
最小增益带宽 ft:140MHz
每卷数量:1000
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:2A
电流, Icm 脉冲:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.3V
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上海 0 新加坡 0 英国1 |
1,000 |
1 |
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SANYO - 2SC5707 - 晶体管 NPN TO-251 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:330MHz
功耗, Pd:15W
集电极直流电流:8A
直流电流增益 hFE:200
封装???型:I-PAK
针脚数:3
hFE, 最大:560
hFE, 最小:200
功耗:15W
器件标记:2SC5707
基极电流, Ib:1A
封装类型:I-PAK
封装类型, 替代:I-PAK
总功率, Ptot:15W
时间, t off:25ns
时间, t on:30ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vcbo:80V
电压, Vceo sat:0.24V
电压, Vces:80V
电流, Ic @ Vce饱和:3.5A
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:8A
电流, Icm 脉冲:11A
直流电流增益 hfe, 最小值:200
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:B(1), C(2+tab), 3(E)
饱和电压, Vce sat 最大:240mV
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上海 0 新加坡711 英国2547 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STC04IE170HV - 晶体管 1700V 4A TO247-4L HV |
晶体管极性:NPN
功耗, Pd:178W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:11
封装类型:TO-247
功耗:178W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:178W
晶体管类型:Emitter Switched Bipolar Transistor
最大连续电流, Ic:4A
电流, Ic hFE:4A
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:5
表面安装器件:通孔安装
电压, Vcs (ss) 最高:1700
电压, Vcs on 典型值:0.7V
通态电阻, Rcs on:0.17ohm
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上海 0 新加坡 0 英国4 |
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