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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FJMA790 - 晶体管 PNP MLP2X2 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:35V
封装类型:MicroFET2x2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
hFE, 最大:400
hFE, 最小:100
功耗:0.8W
封装类型:MicroFET2x2
总功率, Ptot:1.56W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:-2A
热阻, 结至外壳 A:80°C/W
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:2A
电流, Icbo:-100nA
直流电流增益 hfe, 最大值:400
直流电流增益 hfe, 最小值:100
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.9V
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无库存 |
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NTE ELECTRONICS - NTE55 - 双极性晶体管 TO-220 |
双极性晶体管 TO-220
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美国 0 上海 0 美国48 新加坡 0 |
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STMICROELECTRONICS - STN826 - 晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
封装类型:SOT-89
功耗:1.6W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1.4W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3000mA
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:1000mA
电流, Ic 最大:3000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.7V
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上海 0 新加坡 0 ???国2 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STF826 - 晶体管 PNP SOT-89 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
封装类型:SOT-89
功耗:1.4W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1.4W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3000mA
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:1000mA
电流, Ic 最大:3000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-0.7V
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - 2STR2215 - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:15V
功耗, Pd:0.5W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:280
封装类型:SOT-23
hFE, 典型值:280
hFE, 最大:560
hFE, 最小:200
功耗:0.5W
封装类型:SOT-23
应用代码:L-Sat
总功率, Ptot:0.5W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vcbo:15V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 典型值:280
直流电流增益 hfe, 最大值:560
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
饱和电流, Ic:1A
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:500mA
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上海 0 新加坡730 英国746 |
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STMICROELECTRONICS - STN888 - 晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:10A
直流电流增益 hFE:200
???装类型:SOT-223
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vcbo:45V
电流, Ic @ hfe测量 npn:5A
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最小值:70
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.15V
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上海 0 新加坡100 英国1000 |
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STMICROELECTRONICS - STN790A - 晶体管 PNP SOT-223 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:30V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:-3A
直流电流增益 hFE:200
封装类型:SOT-223
针脚数:4
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:1.6W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
电压, Vcbo:40V
电流, Ic @ hfe测量 npn:3A
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:90
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.15V
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上海 0 新加坡 0 英国988 |
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STMICROELECTRONICS - STD826T4 - 晶体管 PNP D-PAK |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:15W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:100
封装类型:D-PAK
hFE, 最大:300
hFE, 最小:100
功耗:15W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:15W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
电压, Vcbo:60V
电压, Vceo sat:0.4V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最大值:300
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.7V
饱和电流, Ic:3A
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:100mA
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上海 0 新加坡 0 英国1631 |
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STMICROELECTRONICS - 2STL1360 - 晶体管 NPN TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:280
封装类型:TO-92
功耗:1.2W
封装类型:TO-92
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - 2STF1360 - 晶体管 NPN SOT-89 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.4W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:280
封装类型:SOT-89
功耗:1.4W
封装类型:SOT-89
总功率, Ptot:1.4W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3000mA
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:3000mA
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡5 英国 0 |
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STMICROELECTRONICS - 2STR1215 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:15V
功耗, Pd:500mW
集电极直流电流:2
直流电流增益 hFE:280
封装类型:SOT-23
针脚数:3
hFE, 典型值:280
hFE, 最大:560
hFE, 最小:200
功耗:500mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:0.5W
晶体管数:1
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vcbo:15V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:1.5A
直流电流增益 hfe, 典型值:280
直流电流增益 hfe, 最大值:560
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.15V
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上海 0 新加坡30 英国4217 |
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STMICROELECTRONICS - 2STN1360 - 晶体管 NPN SOT-223 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.6W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:280
封装类型:SOT-223
功耗:1.6W
封装类型:SOT-223
总功率, Ptot:1.6W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
电压, Vcbo:80V
电流, Ic @ hfe测量 npn:1A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:160
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
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上海 0 新加坡488 英国 0 |
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STMICROELECTRONICS - MD2310FX - 晶体管 NPN ISOWATT218FX |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
功耗, Pd:62W
集电极直流电流:7A
直流电流增益 hFE:28
封装类型:ISOWATT-218FX
功耗:62W
基极电流, Ib:7A
封装类型:ISOWATT-218FX
总功率, Ptot:62W
时间, t off:120ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:7A
电压, Vceo sat:2.5V
电压, Vces:1500V
电流, Ic @ hfe测量 npn:7A
电流, Ic 最大:14A
电流, Icm 脉冲:21A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
表面安装器件:通孔安装
隔离电压:2500V
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
饱和电流, Ic:7A
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上海 0 新加坡 0 英国1067 |
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STMICROELECTRONICS - MD2009DFX - 晶体管 NPN ISOWATT218FX |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:ISOWATT-218FX
功耗:58W
基极电流, Ib:6A
封装类型:ISOWATT-218FX
总功率, Ptot:58W
时间, t off:300ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5.5A
电压, Vceo sat:2.8V
电压, Vces:1500V
电流, Ic @ hfe测量 npn:5.5A
电流, Ic 最大:10A
电流, Icm 脉冲:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:5
表面安装器件:通孔安装
隔离电压:2500V
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
饱和电流, Ic:5A
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - MD1803DFX - 晶体管 NPN ISOWATT218FX |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:ISOWATT-218
基极电流, Ib:5A
封装类型:ISOWATT-218
总功率, Ptot:57W
时间, t off:300ns
晶体管类型:HV-CRT
电压, Vceo sat:2V
电压, Vces:1500V
电流, Ic @ hfe测量 npn:5A
电流, Ic 最大:10A
电流, Icm 脉冲:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:5.5
隔离电压:2500V
饱和电流, Ic:5A
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无库存 |
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