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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - HD1530FX - 晶体管 NPN ISOWATT218FX |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
功耗, Pd:70W
集电极直流电流:13A
直流电流增益 hFE:30
封装类型:ISOWATT-218FX
功耗:70W
基极电流, Ib:10A
封装类型:ISOWATT-218FX
总功率, Ptot:70W
时间, t off:230ns
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:13A
电压, Vceo sat:2V
电压, Vces:1500V
电流, Ic @ hfe测量 npn:13A
电流, Ic 最大:26A
电流, Icm 脉冲:40A
直流电流增益 hfe, 最小值:5.5
表面安装器件:通孔安装
隔离电压:2500V
饱和电压, Vce sat 最大:2V
饱和电流, Ic:13A
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - HD1520FX - 晶体管 NPN ISOWATT218FX |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:ISOWATT-218
基极电流, Ib:8A
封装类型:ISOWATT-218
总功率, Ptot:64W
时间, t off:220ns
晶体管类型:HV-HD-CRT
电压, Vceo sat:3V
电压, Vces:1500V
电流, Ic @ hfe测量 npn:9A
电流, Ic 最大:15A
电流, Icm 脉冲:22A
直流电流增益 hfe, 最小值:5.5
隔离电压:2500V
饱和电流, Ic:9A
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STD1805-1 - 晶体管 NPN I-PAK |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:15W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:200
封装类型:I-PAK
hFE, 最大:400
hFE, 最小:200
下降时间典型值:120ns
功耗:15W
基极电流, Ib:2A
封装类型:I-PAK
应用代码:LVFS
总功率, Ptot:15W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5A
热阻, 结至外壳 A:8.33°C/W
电压, Vcbo:150V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:5A
电流, Icm 脉冲:10A
直流电流增益 hfe, 最大值:400
直流电流增益 hfe, 最小值:200
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
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上海 0 新加坡55 英国1108 |
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STMICROELECTRONICS - STD724T4 - 晶体管 NPN D-PAK |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:100MHz
功耗, Pd:15W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:100
封装类型:D-PAK
hFE, 最大:300
hFE, 最小:80
功耗:15W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:15W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:100MHz
电压, Vcbo:60V
电压, Vceo sat:1.1V
电流, Ic hFE:1000mA
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最大值:300
直流电流增益 hfe, 最小值:80
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
饱和电流, Ic:3A
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:1000mA
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上海 0 新加坡 0 英国55 |
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STMICROELECTRONICS - STD1805T4 - 晶体管 NPN D-PAK |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
封装类型:D-PAK
hFE, 最大:400
hFE, 最小:200
功耗:15W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:15W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:5A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:150V
电压, Vceo sat:0.6V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 最大值:400
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:50mV
饱和电流, Ic:5A
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:100mA
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无库存 |
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1 |
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STMICROELECTRONICS - STD1802T4 - 晶体管 NPN D-PAK |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:150MHz
功耗, Pd:15W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:200
封装类型:D-PAK
hFE, 最大:400
hFE, 最小:200
功耗:15W
封装类型:D-PAK
总功率, Ptot:15W
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:150MHz
电压, Vcbo:80V
电压, Vceo sat:0.3V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最大值:400
直流电流增益 hfe, 最小值:200
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:300mV
饱和电流, Ic:2A
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:100mA
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上海 0 新加坡2520 英国2918 |
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STMICROELECTRONICS - STS01DTP06 - 双晶体管 NPN/PNP SO-8 |
晶体管极性:NPN / PNP
电压, Vceo:30V
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:3A
封装类型:SOIC
针脚数:8
SMD标号:SO1DTP06
功率 Ptot (每器件):2W
功耗:1.6W
基极电流, Ib:1A
封装类型:SOIC
总功率, Ptot:1.6W
晶体管数:2
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vcbo:60V
电压, Vceo sat:0.7V
电流, Ic NPN:3A
电流, Ic PNP:3A
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:3A
电流, Icm 脉冲:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
针脚格式:Q1=NPN, Q2=PNP
针脚配置:1(E1), 2(B1), 3(E2), 4(B2), 5&6(C2), 7&8(C1)
饱和电压, Vce sat 最大:0.7V
饱和电流, Ic:2A
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上海 0 新加坡100 英国453 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT3904LT3G - 射频双极性晶体管 |
射频双极性晶体管
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无库存 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC850CLT1G - 双极性晶体管 N型 |
双极性晶体管 N型
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无库存 |
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1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBT4124LT1G - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
25V
NPN
0.225W功耗
3-SOT-23
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美国 0 上海 0 美国24000 新加坡 0 |
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ON SEMICONDUCTOR - MMBTA63LT1G - 双极性晶体管 |
双极性晶体管
30V (Vceo)
PNP 达林顿
3-SOT-23
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美国 0 上海 0 美国22027 新加坡500 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC817-40LT1G - 双极晶体管 |
双极晶体管
45V
NPN
0.225W
3-SOT-23
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美国 0 上海1329 美国 0 新加坡 0 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FFB2907A... - 双极晶体管 |
双极晶体管
双PNP
0.300W
6-SC-70
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美国 0 上海 0 美国423 新加坡 0 |
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STMICROELECTRONICS - TIP50 - 双极晶体管 |
双极晶体管
400V
NPN
TO-220
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - TIP47 - 双极晶体管 |
双极晶体管
250V
NPN
TO-220
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美国 0 上海 0 美国968 新加坡 0 |
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