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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
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DIODES INC. - ZXTP2029FTA - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, ??型值:150MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:953
hFE, 典型值:220
hFE, 最小:100
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:-4A
电压, Vcbo:130V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 典型值:220
直流电流增益 hfe, 最大值:75
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-30mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP2027FTA - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:165MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23 (TO-236)
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:951
hFE, 典型值:250
hFE, 最小:100
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23 (TO-236)
总功率, Ptot:1.2W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:-4A
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 典型值:250
直流电流增益 hfe, 最大值:145
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-25mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTP2025FTA - 晶体管 PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:190MHz
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:312
hFE, 典型值:380
hFE, 最小:180
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1W
晶体管类型:中等功率双极
电压, Vcbo:50V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 典型值:380
直流电流增益 hfe, 最大值:120
直流电流增益 hfe, 最小值:180
表面安装器件:表面安装
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN2031FTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:125MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:5A
直流电???增益 hFE:350
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:322
hFE, 典型值:300
hFE, 最小:190
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:5A
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 典型值:300
直流电流增益 hfe, 最大值:125
直流电流增益 hfe, 最小值:190
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:18mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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上海140 新加坡305 英国86 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN2020FTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, ??型值:130MHz
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:853
hFE, 典型值:220
hFE, 最小:100
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1.2W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:4A
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:4A
直流电流增益 hfe, 典型值:220
直流电流增益 hfe, 最大值:60
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:30mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES INC. - ZXTN2018FTA - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:130MHz
功耗, Pd:1.2W
集电极直流电流:6A
直流电???增益 hFE:220
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:851
hFE, 典型值:220
hFE, 最小:100
功耗:1.2W
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:1W
晶体管类型:中等功率双极
最大连续电流, Ic:6A
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:10mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 典型值:220
直流电流增益 hfe, 最大值:65
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:30mV
电流, Ic hFE -不要使用 见 ID 1182:10mA
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上海 0 新加坡 0 英国684 |
1 |
5 |
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NXP - PMBT4403 - 晶体管PNP SOT-23 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:-600mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:2T
功耗:250mW
器件标记:BT4403
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:600mA
最小增益带宽 ft:250MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:-400mV
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上海200 新加坡 0 英国499 |
1 |
10 |
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NXP - PMBT4401 - 晶体管NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:600mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:2X
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
总功率, Ptot:250mW
晶体管数:1
晶体管类型:通用小信号
最大连续电流, Ic:600mA
最小增益带宽 ft:200MHz
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:150mA
电流, Ic 最大:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:100
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:750mV
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上海210 新加坡220 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - PMBT3904 - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:200mA
直流电流增益 hFE:100
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:*1A
下降时间:50ns
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.25W
时间, t off:240ns
时间, t on:65ns
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:0.1A
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:200mA
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1B,2E,3C
饱和电压, Vce sat 最大:0.2V
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上海100 新加坡7 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - PMBT2222A - 晶体管 NPN SOT-23 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:300MHz
功耗, Pd:250mW
集电极直流电流:600mA
直流电流增益 hFE:40
工作温度??围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:*1P
下降时间:60ns
功耗:250mW
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
总功率, Ptot:0.25W
时间, t off:250ns
时间, t on:35ns
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:0.6A
最小增益带宽 ft:300MHz
电压, Vcbo:75V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:600mA
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1B,2E,3C
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海880 新加坡360 英国 0 |
1 |
10 |
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NXP - BUX87P - 晶体管 NPN SOT-82 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
功耗, Pd:42W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:50
封装类型:SOT-82
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.28μs
功耗:42W
封装类型:SOT-82
引脚节距:2.29mm
总功率, Ptot:42W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:0.5A
电压, Vces:1000V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:0.5A
直流电流增益 hfe, 最小值:450
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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停产 |
1 |
1 |
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NXP - BUX86P - 晶体管 NPN SOT-82 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
截止频率 ft, 典型值:20MHz
功耗, Pd:42W
集电极直流电流:0.5A
直流电流增益 hFE:50
封装类型:SOT-82
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.28μs
功耗:42W
封装类型:SOT-82
引脚节距:2.29mm
总功率, Ptot:42W
晶体管数:1
晶体管类型:高压开关
最大连续电流, Ic:0.5A
电压, Vces:800V
电流, Ic hFE:50mA
电流, Ic 最大:0.5A
直流电流增益 hfe, 典型值:50
直流电流增益 hfe, 最大值:125
直流电流增益 hfe, 最小值:26
表面安装器件:表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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上海78 新加坡 0 英国 0 |
1 |
1 |
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NXP - BUX85 - 晶体管 NPN TO-220AB |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
截止频率 ft, 典型值:20MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:2A
直流电流增益 hFE:50
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.4μs
功耗:40W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:高压开关
最大连续电流, Ic:2A
电压, Vces:1000V
电流, Ic hFE:100mA
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 典型值:50
直流电流增益 hfe, 最大值:100
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.8V
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上海41 新加坡 0 英国477 |
1 |
1 |
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NXP - BUT11A - 晶体管 NPN TO-220AB |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
功耗, Pd:100W
集电极直流电流:5A
直流电流增益 hFE:20
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
下降时间 @ Ic:0.8μs
功耗:100W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
总功率, Ptot:100W
晶体管数:1
晶体管类型:高压开关
最大连续电流, Ic:5A
电压, Vces:1000V
电流, Ic hFE:500mA
电流, Ic 最大:5A
直流电流增益 hfe, 典型值:20
直流电流增益 hfe, 最大值:35
直流电流增益 hfe, 最小值:10
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海10 新加?? 0 英国2003 |
1 |
1 |
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NXP - BU508DF - 晶体管 NPN SOT-199 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:SOT-199
针脚数:3
下??时间 @ Ic:0.7μs
封装类型:SOT-199
总功率, Ptot:34W
晶体管数:1
晶体管类型:电源高电压开关
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vces:1500V
电流, Ic hFE:0.1A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:6
饱和电流, Ic:4.5A
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停产 |
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